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申请/专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
摘要：一种存储单元、存储器、存储器结构以及存储器的工作方法，存储单元包括：第一反相器；第二反相器；第一访问晶体管，一端与所述第一反相器连接；第二访问晶体管，一端与所述第二反相器连接；第一节点，所述第一访问晶体管的另一端与所述第一节点连接；第二节点，所述第二访问晶体管的另一端与所述第二节点连接；第三访问晶体管，一端与所述第一节点连接；第四访问晶体管，一端与所述第二节点连接；第一位线，与所述第三访问晶体管的另一端连接；第二位线，与所述第四访问晶体管的另一端连接；字线，与所述第一访问晶体管、第二访问晶体管、第三访问晶体管和第四访问晶体管连接。所述存储单元的漏电流减小。
主权项：1.一种存储单元，其特征在于，包括：第一反相器；第二反相器；第一访问晶体管，一端与所述第一反相器连接；第二访问晶体管，一端与所述第二反相器连接；第一节点，所述第一访问晶体管的另一端与所述第一节点连接；第二节点，所述第二访问晶体管的另一端与所述第二节点连接；第三访问晶体管，一端与所述第一节点连接；第四访问晶体管，一端与所述第二节点连接；第一位线，与所述第三访问晶体管的另一端连接；第二位线，与所述第四访问晶体管的另一端连接；字线，与所述第一访问晶体管、第二访问晶体管、第三访问晶体管和第四访问晶体管连接。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 存储单元、存储器、存储器结构以及存储器的工作方法
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