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申请/专利权人：上海积塔半导体有限公司
摘要：本发明提供一种高深宽比铝刻蚀方法，在刻蚀形成铝金属层时通过两步等离子体刻蚀完成：基于图形化的光刻胶层对铝层进行第一步等离子体刻蚀；第一步等离子体刻蚀的刻蚀气体为氯气及三氯化硼的混合气体、钝化气体为氮气；当第一步等离子体刻蚀的刻蚀速率降低在25％以内时，对铝层及隔离缓冲层进行第二步等离子体刻蚀；第二步等离子体刻蚀在保持与第一步等离子体刻蚀的参数情况相同的前提下，在钝化气体中增加含碳氟元素的聚合物气体，且氮气的流量：含碳氟元素的聚合物气体的流量＝1：1～2。该刻蚀方法可降低刻蚀气体对沟槽侧壁的侧蚀，减弱甚至避免侧蚀槽的形成，保证高深宽比铝刻蚀形成的铝金属互连层的线宽，提高产品良率。
主权项：1.一种高深宽比铝刻蚀方法，其特征在于，所述刻蚀方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有绝缘介质层；于所述绝缘介质层上依次形成隔离缓冲层及铝层；于所述铝层上形成图形化的光刻胶层；基于所述图形化的光刻胶层对所述铝层进行第一步等离子体刻蚀；其中，所述第一步等离子体刻蚀的刻蚀气体为氯气及三氯化硼的混合气体、钝化气体为氮气；当所述第一步等离子体刻蚀的刻蚀速率降低在25％以内时，基于所述图形化的光刻胶层对所述铝层及所述隔离缓冲层进行第二步等离子体刻蚀；其中，所述第二步等离子体刻蚀在保持与所述第一步等离子体刻蚀的参数情况相同的前提下，在所述钝化气体中增加含碳氟元素的聚合物气体，且所述氮气的流量：所述含碳氟元素的聚合物气体的流量＝1：1～2；去除所述图形化的光刻胶层。
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