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申请/专利权人：信越半导体株式会社
摘要：本发明是一种电子器件用基板，其是在单晶硅的接合基板上形成了氮化物半导体膜的基板，其特征在于，所述接合基板是接合了多个单晶硅基板而成的基板，厚度大于2000μm，所述多个单晶硅基板是通过CZ法制造的基板，电阻率为0.1Ωcm以下。由此，提供一种在将氮化物半导体膜形成在硅基板上的电子器件用基板中抑制了翘曲并且能够用于高耐压产品的电子器件用基板及其制造方法。
主权项：1.一种电子器件用基板，其是在单晶硅的接合基板上形成了氮化物半导体膜的基板，其特征在于，所述接合基板是接合了多个单晶硅基板而成的基板，包含所述多个单晶硅基板，且厚度大于2000μm，所述多个单晶硅基板是通过CZ法制造的基板，电阻率为0.1Ωcm以下，且各自具有1000μm以上的厚度。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 信越半导体株式会社 电子器件用基板及其制造方法
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