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申请/专利权人：三星电子株式会社
摘要：公开了一种半导体器件。所述半导体器件包括：基底；第一贯穿基底过孔，被构造为至少部分地穿透基底，第一贯穿基底过孔具有第一高宽比；以及第二贯穿基底过孔，被构造为至少部分地穿透基底。第二贯穿基底过孔具有大于第一高宽比的第二高宽比，并且第一贯穿基底过孔和第二贯穿基底过孔中的每个包括第一导电层和第二导电层。第一贯穿基底过孔的第一导电层在竖直方向上的厚度小于第二贯穿基底过孔的第一导电层在竖直方向上的厚度。
主权项：1.一种半导体器件，所述半导体器件包括：基底；集成电路，位于基底的底表面上；第一贯穿基底过孔，被构造为至少部分地穿透基底，第一贯穿基底过孔具有第一高宽比；以及第二贯穿基底过孔，被构造为至少部分地穿透基底，第二贯穿基底过孔具有第二高宽比，其中，第一贯穿基底过孔和第二贯穿基底过孔中的每个包括第一导电层和第二导电层，第一贯穿基底过孔的第一导电层在竖直方向上的厚度小于第二贯穿基底过孔的第一导电层在竖直方向上的厚度，在所述第一贯穿基底过孔和所述第二贯穿基底过孔中的每个中，第一导电层和第二导电层中的位于上面的导电层的平均晶粒尺寸大于第一导电层和第二导电层中的位于下面的导电层的平均晶粒尺寸，第一贯穿基底过孔和第二贯穿基底过孔中的每个的第二导电层包括垂直于竖直方向的第一表面、面对第一表面的第二表面以及在第一表面和第二表面之间延伸的侧表面，第一贯穿基底过孔和第二贯穿基底过孔中的每个的第一导电层包括位于第一贯穿基底过孔和第二贯穿基底过孔中的每个的第二导电层的所述侧表面上的部分和所述第二表面上的部分，并且第一导电层的位于所述第二导电层的所述侧表面上的所述部分的平均晶粒尺寸小于第一导电层的位于第二导电层的所述第二表面上的所述部分的平均晶粒尺寸。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 三星电子株式会社 包括贯穿基底过孔的半导体器件
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