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申请/专利权人：航天科工防御技术研究试验中心
摘要：本发明提供了一种电子器件的单粒子效应仿真方法、介质和设备，方法包括：获取电子器件的器件参数信息；基于器件参数信息确定对应的物理模型，并基于物理模型建立电子器件的仿真模型；基于给定激励对仿真模型进行仿真验证，得到电子器件的仿真特性曲线和仿真阈值电压；基于仿真特性曲线、仿真阈值电压和电子器件的参考数据对物理模型进行校准，得到校正后的物理模型；基于校正后的物理模型进行单粒子效应仿真，得到电子器件的单粒子效应电荷变化信息和电子浓度变化信息。通过对器件进行仿真，评估器件在空间环境下的抗辐射性能和可靠性，同时为器件抗辐射加固设计提供参考，且还有效的提高器件使用可靠性。
主权项：1.一种电子器件的单粒子效应仿真方法，其特征在于，包括：获取电子器件的器件参数信息；基于所述器件参数信息确定对应的物理模型，并基于所述物理模型建立所述电子器件的仿真模型；其中，所述物理模型包括如下至少一种：飘移扩散模型、迁移率模型或碰撞电离模型；基于给定激励对所述仿真模型进行仿真验证，得到所述电子器件的仿真特性曲线和仿真阈值电压；基于所述仿真特性曲线、所述仿真阈值电压和所述电子器件的参考数据对所述物理模型进行校准，得到校正后的物理模型，包括：获取所述电子器件的参考数据，所述参考数据包括所述电子器件的参考特性曲线和参考阈值电压；比较所述参考特性曲线和所述仿真特性曲线，得到第一比较结果；以及比较所述参考阈值电压和所述仿真阈值电压，得到第二比较结果；基于所述第一比较结果和所述第二比较结果校正所述物理模型的参数，得到校正后的物理模型；基于所述校正后的物理模型进行单粒子效应仿真，得到所述电子器件的单粒子效应电荷变化信息和电子浓度变化信息；其中，基于所述第一比较结果和所述第二比较结果校正所述物理模型的参数，包括：基于所述第一比较结果校正飘移扩散模型、迁移率模型或碰撞电离模型中至少一个模型的模型参数；基于所述第二比较结果校正所述物理模型中的栅氧化层厚度、漂移区厚度或沟道长度中的至少一个。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 航天科工防御技术研究试验中心 一种电子器件的单粒子效应仿真方法、介质和设备
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