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申请/专利权人：北京安酷智芯科技有限公司
摘要：本申请实施例公开了一种宽温度读出电路，包括：读出总线、第一辅助电流产生模块、差分支路、第二辅助电流产生模块、多行像素电阻、增益阻抗；读出总线用于由NMOS驱动形成Is电流并输出；第一辅助电流产生模块用于输入所述Is电流，并输出Isx电流；差分支路用于由Rd和PMOS驱动形成Id电流并输出；第二辅助电流产生模块用于输入所述Id电流，并输出Idx电流；增益阻抗用于输入所述Is电流与所述Id电流之差，并将所述Is电流与所述Id电流之差转换为电压，以使所述电压被读出得到读出结果。通过在电路中添加辅助电流Isx流过NMOS，增加了NMOS的阻抗，缩短了行头建立时间，提高电路的切换建立速度，使电路的建立速度不受温度的影响，能够适应衬底温度的变化。
主权项：1.一种宽温度读出电路，其特征在于，所述读出电路包括：读出总线、第一辅助电流产生模块、差分支路、第二辅助电流产生模块、多行像素电阻、增益阻抗；所述读出总线用于由N型金属氧化物半导体NMOS晶体管驱动形成Is电流并输出，逐行选择连接所述多行像素电阻中的任一像素电阻；所述第一辅助电流产生模块连接到所述读出总线，所述第一辅助电流产生模块用于输入所述Is电流，并输出Isx电流，所述Isx电流流过NMOS晶体管；所述差分支路用于由电阻Rd和P型金属氧化物半导体PMOS晶体管驱动形成Id电流并输出；所述第二辅助电流产生模块连接到所述电阻Rd和PMOS晶体管之间，所述第二辅助电流产生模块用于输入所述Id电流，并输出Idx电流，所述Isx电流的大小等于所述Idx电流的大小；所述增益阻抗用于输入所述Is电流与所述Id电流之差，并将所述Is电流与所述Id电流之差转换为电压，以使所述电压被读出得到读出结果。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 北京安酷智芯科技有限公司 一种宽温度读出电路
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