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申请/专利权人：上海超硅半导体股份有限公司;重庆超硅半导体有限公司
申请日：2024-10-31
公开（公告）日：2024-12-27
公开（公告）号：CN119197056A
专利技术分类：.在露天中；在室内盘状容器或台架中；干燥松散材料堆[2006.01]
专利摘要：本发明属于芯片制造技术领域，公开了干燥方法及干燥装置。该干燥方法用于硅片的慢提拉干燥过程，具体地，超纯水的温度为T，其中T＜50℃；硅片位于超纯水内部并向上托举；当硅片的部分结构被托举出液面后，完成托举和提拉的交接；其中交接过程中，硅片始终被向上托举，且托举和提拉的交接位置处，提拉速度大于托举速度。通过本发明，能提升对硅片干燥的适应性，在托举和提拉交接过程中能够避免硅片晃动，降低硅片表面出现局部水痕的可能性，提升硅片制造的合格率。
专利权项：1.干燥方法，其特征在于，包括；超纯水的温度为T，其中T＜50℃；硅片位于所述超纯水内部并向上托举；当所述硅片的部分结构被托举出液面后，完成托举和提拉的交接；其中交接过程中，所述硅片始终被向上托举，且托举和提拉的交接位置处，提拉速度大于托举速度。
百度查询： 上海超硅半导体股份有限公司 重庆超硅半导体有限公司 干燥方法及干燥装置
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