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申请/专利权人：力旺电子股份有限公司

申请日：2024-07-08

公开（公告）日：2025-01-14

公开（公告）号：CN119314536A

专利技术分类：..使用可变阀值晶体管的，例如，FAMOS[2006.01]

专利摘要：本发明为一种具辅助选择栅极线驱动器的非易失性存储器，非易失性存储器中的阵列结构由2T2C存储器胞组成。再者，阵列结构中的存储器胞更连接至对应的辅助选择栅极线auxiliaryselectgateline。另外，辅助选择栅极线驱动器可以输出特定的驱动电压drivingvoltage至辅助选择栅极线，用以提高非易失性存储器的编程效率、抹除效率与读取效率。

专利权项：1.一种非易失性存储器，包括：阵列结构，该阵列结构连接至第一字线、第二字线、源极线、抹除线、第一辅助选择栅极线、第二辅助选择栅极线与位线；其中，该阵列结构包括第一存储器胞与第二存储器胞；该第一存储器胞连接至该第一字线、该第一辅助选择栅极线、该抹除线、该源极线与该第一位线；该第二存储器胞连接至该第二字线、该第二辅助选择栅极线、该抹除线、该源极线与该第一位线；字线解码器，产生解码信号；字线驱动器，接收该解码信号，且该字线驱动器连接至该第一字线与该第二字线，其中该字线驱动器根据该解码信号来动作该第一字线与该第二字线其中之一；辅助选择栅极线驱动器，接收模式信号与该解码信号，且该辅助选择栅极线驱动器连接至该第一辅助选择栅极线与该第二辅助选择栅极线；位线选择器，连接至该第一位线；以及感测电路，连接至该位线选择器；其中，在编程动作时决定该第一存储器胞为选定存储器胞且该第二存储器胞为非选定存储器胞；其中，根据该模式信号，在第一编程模式的第一相位时，该辅助选择栅极线驱动器未驱动该第一辅助选择栅极线与该第二辅助选择栅极线；在该第一编程模式的第二相位时，该辅助选择栅极线驱动器提供第一驱动电压至该第一辅助选择栅极线，该辅助选择栅极线驱动器未驱动该第二辅助选择栅极线；以及，该第一驱动电压为正电压；其中，根据该模式信号，在第二编程模式的第一相位时，该辅助选择栅极线驱动器提供第二驱动电压至该第一辅助选择栅极线与该第二辅助选择栅极线；在该第二编程模式的第二相位时，该辅助选择栅极线驱动器提供该第一驱动电压至该第一辅助选择栅极线，且该辅助选择栅极线驱动器未驱动该第二辅助选择栅极线；以及，该第二驱动电压为负电压。

百度查询： 力旺电子股份有限公司 具辅助选择栅极线驱动器的非易失性存储器