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申请/专利权人：长存创芯(北京)集成电路设计有限公司
申请日：2024-09-27
公开（公告）日：2025-01-14
公开（公告）号：CN119314533A
专利技术分类：........读出或读出/刷新放大器，或相关的读出电路，例如用于耦合位线预充电、均衡或隔离的[2006.01]
专利摘要：本公开提供一种存储器操作方法、存储器及存储系统，涉及存储器技术领域。该方法包括：对所述存储器的存储体进行读取操作；获取所述存储体的错误校正检测结果信息，所述错误校正检测结果信息基于对所述存储体的错误校正操作获得，所述错误校正操作基于所述读取操作进行；根据所述存储体的错误校正检测结果信息判断所述错误校正操作中是否对所述存储体的至少一比特位进行了错误校正，以便与所述存储器耦合的控制器获取判断结果。
专利权项：1.一种存储器操作方法，其特征在于，包括：对所述存储器的存储体进行读取操作；获取所述存储体的错误校正检测结果信息，所述错误校正检测结果信息基于对所述存储体的错误校正操作获得，所述错误校正操作基于所述读取操作进行；根据所述存储体的错误校正检测结果信息判断所述错误校正操作中是否对所述存储体的至少一比特位进行了错误校正，以便与所述存储器耦合的控制器获取判断结果。
百度查询： 长存创芯(北京)集成电路设计有限公司 存储器操作方法、存储器及存储系统
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