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申请/专利权人：南京波长光电科技股份有限公司

申请日：2024-09-19

公开（公告）日：2025-01-14

公开（公告）号：CN119307866A

专利技术分类：...爆炸法；蒸发及随后的气化物电离法（C23C14/34至C23C14/48优先）[2006.01]

专利摘要：本发明公开了一种在硫系玻璃的表面蒸镀截止膜制备工艺，具体涉及红外光学探测技术领域，包括以下步骤：S01、镀膜机执行前起始真空度优于5.0×10‑4Pa，烘烤温度为80‑150℃，而离子源参数设置为：阴极电压100‑300V，离子束流1‑4A；S02、蒸发前，镀膜机对镜片硫系玻璃进行3‑10min的离子轰击；S03、在镜片硫系玻璃上镀上第一层Ge，蒸发速率控制在0.2‑0.8nms；S04、在第一层Ge上镀上第二层ZnS，蒸发速率控制在0.2‑1.5nms；S05、在第二层ZnS上镀上第三层YbF3，蒸发速率控制在0.2‑1nms；S06、在第三层YbF3上镀上第四层ZnS，蒸发速率控制在0.2‑1.5nms；S07、在第四层ZnS上镀上第五层Ge，蒸发速率控制在0.2‑0.8nms。该发明提供的薄膜有效解决膜层间应力及膜层附着力以及良好的光谱性能。

专利权项：1.一种在硫系玻璃的表面蒸镀截止膜制备工艺，其特征在于，包括以下步骤：S01、镀膜机执行前起始真空度优于5.0×10-4Pa，烘烤温度为80-150℃，而离子源参数设置为：阴极电压100-300V，离子束流1-4A；S02、蒸发前，镀膜机对镜片硫系玻璃进行3-10min的离子轰击；S03、在镜片硫系玻璃上镀上第一层Ge，蒸发速率控制在0.2-0.8nms；S04、在第一层Ge上镀上第二层ZnS，蒸发速率控制在0.2-1.5nms；S05、在第二层ZnS上镀上第三层YbF3，蒸发速率控制在0.2-1nms；S06、在第三层YbF3上镀上第四层ZnS，蒸发速率控制在0.2-1.5nms；S07、在第四层ZnS上镀上第五层Ge，蒸发速率控制在0.2-0.8nms；S08、在第五层Ge上镀上第六层ZnS，蒸发速率控制在0.2-1.5nms；S09、在第六层ZnS上镀上第七层YbF3，蒸发速率控制在0.2-1nms；S10、在第七层YbF3上镀上第八层ZnS，蒸发速率控制在0.2-1.5nms；S11、在第八层ZnS上镀上第九层Ge，蒸发速率控制在0.2-0.8nms；S12、在第九层Ge上镀上第十层ZnS，蒸发速率控制在0.2-1.5nms；S13、在第十层ZnS上镀上第十一层YbF3，蒸发速率控制在0.2-1nms；S14、在第十一层YbF3上镀上第十二层ZnS，蒸发速率控制在0.2-1.5nms；S15、在第十二层高ZnS上镀上第十三层Ge，蒸发速率控制在0.2-0.8nms；S16、在第十三层Ge上镀上第十四层ZnS，蒸发速率控制在0.2-1.5nms；S17、在第十四层ZnS上镀上第十五层YbF3，蒸发速率控制在0.2-1nms；S18、在第十五层YbF3上镀上第十六层ZnS，蒸发速率控制在0.2-1.5nms；S19、在第十六层高ZnS上镀上第十七层Ge，蒸发速率控制在0.2-0.8nms；S20、在第十七层Ge上镀上第十八层ZnS，蒸发速率控制在0.2-1.5nms；S21、在第十八层ZnS上镀上第十九层YbF3，蒸发速率控制在0.2-1nms；S22、在第十九层YbF3上镀上第二十层ZnS，蒸发速率控制在0.2-1.5nms；S23、在第二十层高ZnS上镀上第二十一层Ge，蒸发速率控制在0.2-0.8nms；S24、在第二十一层Ge上镀上第二十二层ZnS，蒸发速率控制在0.2-1.5nms；S25、在第二十二层ZnS上镀上第二十三层YbF3，蒸发速率控制在0.2-1nms；S26、在第二十三层YbF3上镀上第二十四层ZnS，蒸发速率控制在0.2-1.5nms；S27、在第二十四层高ZnS上镀上第二十五层Ge，蒸发速率控制在0.2-0.8nms；S28、在第二十五层Ge上镀上第二十六层ZnS，蒸发速率控制在0.2-1.5nms；S29、在第二十六层ZnS上镀上第二十七层YbF3，蒸发速率控制在0.2-1nms；S30、在第二十七层YbF3上镀上第二十八层ZnS，蒸发速率控制在0.2-1.5nms；S31、在第二十八层高ZnS上镀上第二十九层Ge，蒸发速率控制在0.2-0.8nms；S32、在第二十九层Ge上镀上第三十层ZnS，蒸发速率控制在0.2-1.5nms；S33、在第三十层ZnS上镀上第三十一层YbF3，蒸发速率控制在0.2-1nms；S34、在第三十一层YbF3上镀上第三十二层ZnS，蒸发速率控制在0.2-1.5nms；S35、在第三十二层高ZnS上镀上第三十三层Ge，蒸发速率控制在0.2-0.8nms；S36、在第三十三层Ge上镀上第三十四层ZnS，蒸发速率控制在0.2-1.5nms；S33、在第三十四层ZnS上镀上第三十五层YbF3，蒸发速率控制在0.2-1nms；S34、在第三十五层YbF3上镀上第三十六层ZnS，蒸发速率控制在0.2-1.5nms；S35、在第三十六层ZnS上镀上第三十七层YbF3，蒸发速率控制在0.2-1nms；S36、在第三十七层YbF3上镀上第三十八层ZnS，蒸发速率控制在0.2-1.5nms。

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