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申请/专利权人：中国电子工程设计院股份有限公司
申请日：2024-12-16
公开（公告）日：2025-01-14
公开（公告）号：CN119306359A
专利技术分类：
专利摘要：一种稳定输出半导体工艺用超纯水的调控方法和装置，所述调控方法包括：S1深处理：对一次纯水处理得到二次纯水；S2一阶循环：将部分二次纯水回流循环进行步骤S1，未回流二次纯水存入纯水储槽，根据纯水储槽液位的模拟输出结果，按比例分配回流水量，形成一阶循环比率，根据一阶循环比率和二次纯水的检测结果，调控一阶分解处理的目标分解剂量；S3精处理：对二次纯水处理得到超纯水；S4二阶循环：根据下游半导体工艺用水量稳定输出超纯水，将剩余超纯水回流进行步骤S3，同时根据工艺用超纯水量和超纯水的检测结果，调控二阶分解处理的目标分解剂量。本发明能够根据下游半导体工艺用水需求，高效低能耗的输出质量和流量稳定的超纯水。
专利权项：1.一种稳定输出半导体工艺用超纯水的调控方法，其特征在于，包括以下步骤：S1深处理：对一次纯水进行深除盐处理、一阶分解处理、一阶吸收交换处理和脱气处理，得到二次纯水；S2一阶循环：将步骤S1得到的部分二次纯水回流进行步骤S1深处理，未回流的二次纯水存入纯水储槽；S3精处理：对纯水储槽输出的二次纯水充氢处理，使溶解氢浓度在0.05mgl以上，之后进行二阶分解处理、二阶吸收交换处理、脱气和超滤处理，得到超纯水；S4二阶循环：根据下游半导体工艺用水量，稳定输出超纯水，将剩余超纯水回流进行步骤S3精处理。
百度查询： 中国电子工程设计院股份有限公司 一种稳定输出半导体工艺用超纯水的调控方法和装置
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