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申请/专利权人：美迪凯(浙江)智能光电科技有限公司

申请日：2024-08-13

公开（公告）日：2025-01-14

公开（公告）号：CN119310803A

专利技术分类：.曝光及其设备（复制用照相印制设备入G03B27/00）[2006.01]

专利摘要：本发明公开了一种双面阵列图形镀膜光学玻璃基板制备工艺。本发明曝光时使用了双面低反射玻璃作为厚玻璃基板下层的垫板，防止反射光线干扰曝光图案形态，使图案形态更为精确；本发明采用声波脱胶这一手段进行脱胶，将超声波清洗与去胶液浸泡脱胶相结合，使脱胶效果更好，脱胶时间缩短，图案形貌更好；本发明旋涂光刻胶过程结合夹具涂胶，方便进行方形基板的中心定位，在基板上有无透光膜层的状态下，均可以保证基板中心与平台中心重合，防止基板因水平方向受力不均而导致的产品损坏，且既保证胶厚均匀性一致，又可以减少光刻胶的用量。

专利权项：1.一种双面阵列图形镀膜光学玻璃基板制备工艺，其特征是，其步骤为：S1、清洗：将基板表面进行清洗，去除基板表面微粒和化学残留，并将清洗后的基板甩干；S2、旋涂光刻胶：将基板放置于带有夹具的吸附平台中心，通过涂胶机的点胶模块首先在基板中心滴入5ml负性光阻，此阶段通过特氟龙制针头以3.0mlmin的速度持续注入涓流态的负性光阻，用800rpm的初始低速旋转基板，维持3s，使光刻胶均匀铺展成一个圆，后用340.17rads2角加速度提速，提速时间为0.4s，待转速提至2100rpm时，维持此转速旋转5s，而后以44.07rads2角加速度降速，降速时间3.8s，降低至500rpm，累计旋涂时间共需12.2s，形成一层负性光阻膜层，而后程序完成停止旋转并复位；S3、前烘：使用热板对基板进行烘烤，烘烤温度为125℃，时间为150s，蒸发掉光刻胶中的有机溶剂，使基板表面的胶固化，提高光刻胶与基板的粘附性；S4、曝光：在夹具的上方基板下方放置一片双面低反射的玻璃，通过在基板上方安置的与光刻胶对应的掩模板进行光刻；S5、后烘：使用热板进行烘烤，烘烤温度为122℃，时间为400s；S6、显影：采用旋覆浸没式显影方式显影，显影时间为600s；S7、坚膜：采用热板对基板进行烘烤，150℃烘烤5分钟；S8、镀膜：采用蒸发或溅射的镀膜方式在产品表面沉积一层低反射低透过膜层；S9、清洗：对完成镀膜的基板表面进行清洗，并将清洗后的基板烘干；S10、对基板另一面进行S3-S9工序；S11、超声脱胶：将完成S10步骤的基板放入超声波洗槽中，放入去胶液，对镀膜后的产品进行6h超声脱胶；S12、剥离：将完成脱胶的产品置于旋转剥离平台上，将剩余的残胶与残膜剥离。

百度查询： 美迪凯(浙江)智能光电科技有限公司 双面阵列图形镀膜光学玻璃基板制备工艺