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申请/专利权人：南方科技大学
申请日：2024-08-29
公开（公告）日：2025-01-14
公开（公告）号：CN119317160A
专利技术分类：
专利摘要：本发明涉及电子器件领域，尤其涉及一种二维半导体晶体管及其制备方法。所述二维半导体晶体管包括衬底和依次设置在衬底上的二维半导体层、半金属层、金属覆盖层，所述半金属层的材料为铋或锑，所述金属覆盖层的材料为铝、银或铜。本发明通过设计和优选合适的覆盖层金属种类，在保证器件优异性能的基础上，避免或延缓了覆盖层金属材料与半金属材料的合金化反应，使得在经过热处理之后器件仍能保持半金属BiSb‑二维半导体接触界面，降低了合金化反应对二维半导体与电极之间欧姆接触的破坏，提升了二维半导体器件接触的热稳定性，使得更多包含热处理步骤的工艺流程可用于生产二维半导体器件，扩大了二维半导体器件的应用范围。
专利权项：1.一种二维半导体晶体管，其特征在于，包括衬底和依次设置在衬底上的二维半导体层、半金属层、金属覆盖层，所述半金属层的材料为铋或锑，所述金属覆盖层的材料为铝、银或铜。
百度查询： 南方科技大学 一种二维半导体晶体管及其制备方法
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