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申请/专利权人：美光科技公司
申请日：2020-12-21
公开（公告）日：2025-01-14
公开（公告）号：CN113012740B
专利技术分类：..辅助电路，例如：用于写入存储器的[2006.01]
专利摘要：本申请案涉及包含多个装置层级上的数据线的存储器装置。一些实施例包含设备及形成所述设备的方法。所述设备中的一个包含：第一存储器单元串的第一柱；第二存储器单元串的第二柱；第一导电结构，其沿第一方向延伸，所述第一导电结构定位在所述第一柱上方且与其电接触；第二导电结构，其沿所述第一方向延伸，所述第二导电结构定位在所述第二柱上方且与其电接触；选择栅极，其耦合到所述第一及第二存储器单元串；第一数据线，其定位在所述设备的第一层级上且沿第二方向延伸，所述第一数据线定位在所述第一导电结构上方并与所述第一导电结构电接触；及第二数据线，其定位在所述设备的第二层级上，且沿所述第二方向延伸，所述第二数据线定位在所述第二导电结构上方且与所述第二导电结构电接触。
专利权项：1.一种存储器设备，其包括：第一存储器单元串的第一柱；第二存储器单元串的第二柱；第一导电结构，其沿第一方向延伸，所述第一导电结构定位在所述第一柱上方且与其电接触；第二导电结构，其沿所述第一方向延伸，所述第二导电结构定位在所述第二柱上方且与其电接触；选择栅极，其耦合到所述第一及第二存储器单元串；第一数据线，其定位在所述存储器设备的第一层级上并沿第二方向延伸，所述第一数据线定位在所述第一导电结构上方且与所述第一导电结构电接触；第二数据线，其定位在所述存储器设备的第二层级上并沿所述第二方向延伸，所述第二数据线定位在所述第二导电结构上方且与所述第二导电结构电接触，其中所述第一柱包含第一柱触点，所述第一柱触点位于距所述第一数据线的第一距离处，且所述第二柱包含第二柱触点，所述第二柱触点位于距所述第二数据线的第二距离处，且所述第一距离小于所述第二距离；第一导电触点，其定位在所述第一导电结构与所述第一柱触点之间且接触所述第一导电结构及所述第一柱触点；及第二导电触点，其定位在所述第二导电结构与所述第二柱触点之间且接触所述第二导电结构及所述第二柱触点。
百度查询： 美光科技公司 包含多个装置层级上的数据线的存储器装置
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