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申请/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日：2021-07-01
公开（公告）日：2025-01-14
公开（公告）号：CN113880039B
专利技术分类：
专利摘要：一种微机电系统器件能够形成为在微机电系统器件的器件晶片的一或多个可移动微机电系统结构上包含抗静摩擦多晶硅层以降低、最小化及或消除可移动微机电系统结构与微机电系统器件的其它组件或结构之间的静摩擦。抗静摩擦多晶硅层能够形成为使得抗静摩擦多晶硅层的表面粗糙度大于将与微机电系统器件的电路晶片接合的器件晶片的表面上的接合多晶硅层的表面粗糙度。抗静摩擦多晶硅层的较高表面粗糙度能够减小可移动微机电系统结构的底部的表面积，这能够降低一或多个可移动微机电系统结构将粘附到其它组件或结构的可能性。
专利权项：1.一种微机电系统器件，包括：封盖晶片；电路晶片；器件晶片，在所述封盖晶片与所述电路晶片之间；一或多个可移动微机电系统结构，在由所述封盖晶片、所述电路晶片以及所述器件晶片形成的空腔中；第一多晶硅层，在所述一或多个可移动微机电系统结构的底表面上；以及第二多晶硅层，在所述器件晶片与所述电路晶片之间，其中所述第一多晶硅层的表面粗糙度不同于所述第二多晶硅层的表面粗糙度。
百度查询： 台湾积体电路制造股份有限公司 微机电系统器件及其制造方法
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