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申请/专利权人：杭州大和热磁电子有限公司
申请日：2021-11-05
公开（公告）日：2025-01-14
公开（公告）号：CN114561623B
专利技术分类：..离子注入[2006.01]
专利摘要：本发明涉及热电技术领域，为解决常规的碲化铋表面由于Ni层过厚导致器件负载增加、制冷温差降低，并且工艺复杂、成本较高，Ni层与碲化铋的结合力差、TEC可靠性不够高的一系列问题，本发明提出了一种碲化铋材料表面处理技术，利用离子注入与多弧镀或者磁控溅射等真空镀技术复合处理的工艺，提高碲化铋与Ni层的结合力，降低TEC的内部负载，提高温差，同时由于Ni层与碲化铋基体的结合力提高，使得TEC产品的可靠性得到优化。
专利权项：1.一种碲化铋材料表面处理方法，其特征在于，在碲化铋表面注入Ni离子后进行Ni阻挡层的施镀，所述的注入Ni离子浓度范围为1×1017-9×1018cm-3；Ni阻挡层的厚度为2-20μm；施镀Ni阻挡层时，碲化铋基体材料温度≤180℃。
百度查询： 杭州大和热磁电子有限公司 一种碲化铋材料表面处理方法
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