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申请/专利权人：吉林大学
申请日：2022-01-20
公开（公告）日：2025-01-14
公开（公告）号：CN114823282B
专利技术分类：.半导体器件或其部件的制造或处理[2006.01]
专利摘要：本发明提供一种降低薄膜残余应力的方法，包括以下步骤：S1、通过高温胶带将衬底固定在带有弯曲面的柱状体上，将衬底严密贴附在柱状体表面，使衬底形成预弯折效应；S2、通过充满N2气体的手套箱将衬底移动至真空镀膜腔室中，并在衬底上生长薄膜；S3、通过高温胶带将薄膜和衬底固定在加热台上进行热处理，释放薄膜的残余应力。本发明提供的方法不改变薄膜厚度，通过贴附和热处理手段降低了薄膜的残余应力，提升了薄膜封装的封装性能，简化了制备工艺，缩短了封装薄膜制备时间。解决了由于残余应力的影响导致柔性衬底向内卷曲不利于制备器件的问题，通过本发明制备出的薄膜残余应力低、水阻隔性能高，可实现对柔性光电子器件进行独立封装。
专利权项：1.一种降低薄膜残余应力的方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、通过高温胶带将衬底固定在带有弯曲面的柱状体上，将所述衬底严密贴附在所述柱状体表面，使所述衬底产生预弯折效应；S2、通过充满N2气体的手套箱将所述衬底移动至真空镀膜腔室中，并在所述衬底上生长薄膜；S3、通过所述高温胶带将生长有薄膜的衬底固定在加热台上进行热处理，释放所述薄膜内部的残余应力。
百度查询： 吉林大学 降低薄膜残余应力的方法
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