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申请/专利权人：宁波工程学院;江苏尚今光电科技有限公司
申请日：2022-05-31
公开（公告）日：2025-01-14
公开（公告）号：CN115020114B
专利技术分类：..以电极中材料组成或构成的结构特点为特征的，如形态、表面积或孔隙度；以为此使用的粉末或微粒的结构特点为特征的[2013.01]
专利摘要：本发明涉及一种核壳结构的SiC@C纳米线准阵列及其制备方法与应用，属于纳米材料技术领域。本发明公开了一种核壳结构的SiC@C纳米线准阵列，所述SiC@C纳米线准阵列中SiC的相组成为3C‑SiC，壳层的C为PEDOT层经冷冻干燥、碳化后的掺杂硫元素的碳材料。本发明还公开了一种核壳结构的SiC@C纳米线准阵列的制备方法，所述的制备方法包括：将预处理后的碳布覆盖在盛有聚硅氮烷、三聚氰胺粉末的坩埚口，在高温气氛炉中加热，冷却后得沉积SiC准阵列的碳布；将沉积SiC纳米线的碳布置于反应真空室，将汽态的EDOT诱导进入反应真空室，汽态的FeCl3引入反应真空室后沉积得SiC@PEDOT纳米线准阵列，清洗后经冷冻干燥、碳化得硫掺杂的SiC@C纳米线复合材料。
专利权项：1.一种核壳结构的SiC@C纳米线准阵列的制备方法，其特征在于，所述的制备方法包括：将预处理后的碳布覆盖在盛有聚硅氮烷、三聚氰胺粉末的坩埚口，在高温气氛炉中加热，冷却后得沉积SiC准阵列的碳布；将沉积SiC纳米线的碳布置于反应真空室，将汽态的EDOT诱导进入反应真空室，汽态的FeCl3引入oCVD腔体后沉积得SiC@PEDOT纳米线准阵列，清洗后经冷冻干燥、碳化得硫掺杂的SiC@C纳米线准阵列；所述SiC@C纳米线准阵列中SiC的相组成为3C-SiC，壳层的C为PEDOT层经冷冻干燥、碳化后的掺杂硫元素的碳材料。
百度查询： 宁波工程学院 江苏尚今光电科技有限公司 一种核壳结构的SiC@C纳米线准阵列及其制备方法与应用
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