龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：应用材料公司
申请日：2023-05-01
公开（公告）日：2025-01-17
公开（公告）号：CN119325748A
专利技术分类：
专利摘要：提供了一种形成TFT的方法，所述方法包括在基板上方形成缓冲层。在缓冲层上方形成金属氧化物沟道层，并且使沟道层退火。在沟道层上方形成栅极绝缘体层，并且在栅极绝缘体层上方沉积ILD以形成TFT。就第一退火条件使TFT退火以形成经退火TFT。经退火TFT是短路的或包括约0伏或更小的第一阈值电压。就第二退火条件使经退火TFT退火以形成经再生TFT，经再生TFT具有大于第一阈值电压的第二阈值电压，第二退火条件包括约150℃至约275℃的温度。
专利权项：1.一种形成薄膜晶体管TFT的方法，所述方法包括：在基板上方形成缓冲层；在所述缓冲层上方形成金属氧化物沟道层；在形成所述金属氧化物沟道层之后使所述金属氧化物沟道层退火；在金属氧化物沟道层上方形成栅极绝缘体层；在所述栅极绝缘体层上方沉积层间电介质ILD以形成所述TFT；就第一退火条件使所述TFT退火以形成经退火TFT，其中所述经退火TFT是短路的或包括第一阈值电压；以及就第二退火条件使所述经退火TFT退火以形成经再生TFT，所述经再生TFT具有大于所述第一阈值电压的第二阈值电压，所述第二退火条件包括约150℃至约275℃的温度。
百度查询： 应用材料公司 金属氧化物薄膜晶体管的再生退火
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号