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申请/专利权人：应用材料公司
申请日：2023-04-13
公开（公告）日：2025-01-17
公开（公告）号：CN119325647A
专利技术分类：...利用互连在器件中的分离元件间传输电流[2006.01]
专利摘要：一种在基板上形成结构的方法包括在基板的多层级部分内的至少一个开口内形成钨成核层。所述方法包括将成核层暴露于含三氟化氮气体，以抑制成核层在至少一个开口内的狭窄部分处的生长。所述方法包括将至少一个开口暴露于含钨前驱物气体，以在至少一个开口内的成核层上方形成填充层。所述方法包括将基板的至少一个开口暴露于含三氟化氮气体或含氮等离子体，以抑制填充层的部分沿至少一个开口的生长。
专利权项：1.一种在基板上形成结构的方法，所述方法包括：以前驱物气体流率将形成在所述基板的多层级部分中的至少一个开口暴露于含钨气体；以还原剂流率将所述基板的所述至少一个开口暴露于包含硼的还原剂，其中所述含钨气体和所述还原剂循环交替，以在所述基板的所述至少一个开口内形成成核层；将所述基板的所述至少一个开口暴露于含三氟化氮气体，以抑制所述成核层在所述至少一个开口内的狭窄部分处的生长；将所述至少一个开口暴露于含钨前驱物气体，以在所述至少一个开口内的所述成核层上方形成填充层；以及将所述基板的所述至少一个开口暴露于所述含三氟化氮气体或含氮等离子体，以抑制所述填充层的部分沿所述至少一个开口的生长。
百度查询： 应用材料公司 形成多层级钨特征的方法
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