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申请/专利权人：上海申矽凌微电子科技有限公司
申请日：2021-10-21
公开（公告）日：2025-01-17
公开（公告）号：CN114031031B
专利技术分类：
专利摘要：本发明提供了一种基于CMOS工艺的CMOS‑MEMS全集成热电堆芯片及制造方法，包括衬底、微电机系统以及专用集成电路系统，微电机系统和集成电路系统二者在衬底上呈分隔设置，且衬底上设置有隔离层；专用集成电路系统包括MOS管，微电机系统包括由多组热电偶串联形成的热电堆和热沉区，微电机系统所在的衬底的背部开设有空腔，隔离层将热电偶和热沉区二者与空腔分隔；热电偶与专用集成电路系统电连接，热沉区接地或悬空，且热沉区的内壁构成冷端边界并延伸至空腔的上方，从而使热沉区的内壁为热电堆的冷端，使热电堆的冷端和热端距离固定，进而提高了产品的一致性。
专利权项：1.一种基于CMOS工艺的CMOS-MEMS全集成热电堆芯片，其特征在于，包括衬底（100）、微电机系统（11）以及专用集成电路系统（12），所述微电机系统（11）和专用集成电路系统（12）二者在衬底（100）上呈分隔设置，且所述衬底（100）上设置有隔离层（101）；所述专用集成电路系统（12）包括MOS管102，所述MOS管102包括NMOS管和PMOS管，且所述NMOS管和PMOS管通过隔离层（101）分隔；所述微电机系统（11）包括热电堆和热沉区，所述微电机系统（11）所在的衬底（100）的背部开设有空腔（113），所述隔离层（101）将热电偶和热沉区二者与空腔（113）分隔；所述热电堆由多组热电偶串联形成，所述热电堆自衬底（100）边缘位置延伸至衬底（100）中部，所述热电堆与专用集成电路系统（12）电连接，所述热沉区接地或悬空，且所述热沉区的内壁形成冷端边界。
百度查询： 上海申矽凌微电子科技有限公司 基于CMOS工艺的CMOS-MEMS全集成热电堆芯片及制造方法
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