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龙图腾网恭喜京东方科技集团股份有限公司申请的专利一种阵列基板及其制备方法、显示面板、显示装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN108336100B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-01-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201810327453.3，技术领域涉及：H10F39/10；该发明授权一种阵列基板及其制备方法、显示面板、显示装置是由刘威设计研发完成，并于2018-04-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种阵列基板及其制备方法、显示面板、显示装置在说明书摘要公布了：本发明公开一种阵列基板，包括：形成在衬底基板上的光敏部件，及形成在所述光敏部件远离所述衬底基板一侧的薄膜晶体管和导电层；所述光敏部件包括层叠设置的第一电极、光敏层和第二电极，所述第一电极靠近所述衬底基板设置；所述第一电极与所述薄膜晶体管的第一极电连接，所述第二电极与所述导电层电连接；其中，所述第一极为所述薄膜晶体管的源极或漏极。本发明实施例的阵列基板，在制备过程中，先形成光敏部件，再在光敏部件上形成薄膜晶体管，避免了光敏部件形成过程中氢元素对薄膜晶体管产生影响，薄膜晶体管的源漏层图案可以通过一次图形化处理形成，简化了制备工艺。

本发明授权一种阵列基板及其制备方法、显示面板、显示装置在权利要求书中公布了：1.一种阵列基板，其特征在于，包括：形成在衬底基板上的光敏部件，及形成在所述光敏部件远离所述衬底基板一侧的薄膜晶体管和导电层；所述光敏部件包括层叠设置的第一电极、光敏层和第二电极，所述第一电极靠近所述衬底基板设置；所述第一电极与所述薄膜晶体管的第一极电连接，所述第二电极与所述导电层电连接；其中，所述第一极为所述薄膜晶体管的源极或漏极；所述第一电极为遮光层，所述第一电极覆盖所述薄膜晶体管的有源层在所述衬底基板上的正投影；在所述薄膜晶体管与所述第一极之间形成有缓冲层，所述缓冲层完全覆盖所述光敏部件。

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