恭喜长鑫存储技术有限公司请求不公布姓名获国家专利权
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龙图腾网恭喜长鑫存储技术有限公司申请的专利具有浅沟槽隔离结构的半导体器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN110880472B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-01-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201811037270.4，技术领域涉及：H01L21/762；该发明授权具有浅沟槽隔离结构的半导体器件及其制备方法是由请求不公布姓名设计研发完成，并于2018-09-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本具有浅沟槽隔离结构的半导体器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体技术领域，提出一种具有浅沟槽隔离结构的半导体器件，该半导体器件包括衬底、缓冲层以及绝缘介质层；衬底上设置有至少一个沟槽；缓冲层设于沟槽的槽壁；绝缘介质层设于缓冲层的表面，并将沟槽填满。本发明的具有浅沟槽隔离结构的半导体器件热载流子很难跳到绝缘介质层，从而不会形成导电通道，可以改善半导体器件的漏电流；缓冲层设置在衬底和绝缘介质层之间，可以改善衬底和绝缘介质层之间应力。
本发明授权具有浅沟槽隔离结构的半导体器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种具有浅沟槽隔离结构的半导体器件的制备方法，其特征在于，包括：提供衬底，并在所述衬底上形成至少一个沟槽；在所述沟槽的槽壁形成缓冲层；在所述缓冲层的表面形成绝缘介质层，所述绝缘介质层将所述沟槽填满；在所述沟槽的槽壁形成缓冲层，包括：在所述沟槽的槽壁形成多晶硅层；在所述多晶硅层的表面形成第一氧化硅层；对所述多晶硅层进行原位水汽生成工艺处理形成第二氧化硅层。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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