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龙图腾网恭喜长鑫存储技术有限公司申请的专利反熔丝结构的制造方法及反熔丝结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN110890344B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-01-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201811053033.7，技术领域涉及：H01L23/525；该发明授权反熔丝结构的制造方法及反熔丝结构是由请求不公布姓名设计研发完成，并于2018-09-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本反熔丝结构的制造方法及反熔丝结构在说明书摘要公布了：本发明提供了一种反熔丝结构的制造方法及反熔丝结构，执行第一离子注入工艺，在隔离结构圈起的衬底中形成功能阱及第一底部隔离阱，功能阱自衬底上表面延伸至衬底中，第一底部隔离阱同图形位于功能阱的下方，执行第二离子注入工艺，在与第一离子注入工艺图案互补的衬底中形成侧部隔离阱及第二底部隔离阱，侧部隔离阱自衬底上表面延伸至衬底中并包覆隔离结构，第二底部隔离阱同图形位于侧部隔离阱的下方，第一底部隔离阱、侧部隔离阱和第二底部隔离阱属于相同离子注入类型，和功能阱分属不同离子注入类型，第一底部隔离阱和第二底部隔离阱相连成底部隔离阱组合层，由此能够通过较少的掩膜工艺形成反熔丝结构，从而能够降低反熔丝结构的制造成本。

本发明授权反熔丝结构的制造方法及反熔丝结构在权利要求书中公布了：1.一种反熔丝结构的制造方法，其特征在于，包括：提供一衬底，所述衬底中形成有多个隔离结构，所述隔离结构自所述衬底上表面延伸至所述衬底中，所述隔离结构呈环形并圈起部分所述衬底；执行第一离子注入工艺，包括在所述隔离结构圈起的所述衬底中分别形成一功能阱以及一第一底部隔离阱，所述功能阱自所述衬底上表面延伸至所述衬底中，所述第一底部隔离阱同图形位于所述功能阱的下方，其中所述功能阱和所述第一底部隔离阱分属不同离子注入类型；执行第二离子注入工艺，包括在与第一离子注入工艺图案互补的所述衬底中分别形成一侧部隔离阱以及一第二底部隔离阱，所述侧部隔离阱自所述衬底上表面延伸至所述衬底中并包覆所述隔离结构，以隔离相邻的所述功能阱，所述第二底部隔离阱同图形位于所述侧部隔离阱的下方，其中所述第一底部隔离阱、所述侧部隔离阱和所述第二底部隔离阱属于相同离子注入类型，所述第一底部隔离阱和所述第二底部隔离阱相连成一底部隔离阱组合层；及形成一反熔丝在所述功能阱上。

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