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龙图腾网恭喜厦门大学;厦门大学深圳研究院申请的专利三维纳米结构氚伏电池获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111446019B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-01-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910075577.1，技术领域涉及：G21H1/06；该发明授权三维纳米结构氚伏电池是由伞海生;陈长松设计研发完成，并于2019-01-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本三维纳米结构氚伏电池在说明书摘要公布了：三维纳米结构氚伏电池，涉及一种同位素电池。呈三明治结构，从上到下依次为：顶部电极、三维纳米结构半导体和底部电极；所述三维纳米结构半导体是由半导体材料构成的三维网格框架结构，网格框架之间设有孔道间隙，三维纳米结构半导体设于底部电极与顶部电极之间，三维纳米结构半导体为氚基同位素源集成的三维纳米结构半导体，所述氚基同位素源贮存于半导体网格框架之间孔道间隙中的氚化金属，或为氚与三维纳米结构半导体材料复合形成的氚化半导体，或为氚化金属与氚化半导体的共存结构；所述氚化金属与三维纳米结构半导体形成肖特基接触或欧姆接触，同时还与顶部电极或底部电极连接。

本发明授权三维纳米结构氚伏电池在权利要求书中公布了：1.三维纳米结构氚伏电池，其特征在于呈三明治结构，从上到下依次为：顶部电极、三维纳米结构半导体和底部电极；所述三维纳米结构半导体是由半导体材料构成的三维网格框架结构，网格框架之间设有孔道间隙，三维纳米结构半导体设于底部电极与顶部电极之间，三维纳米结构半导体为氚基同位素源集成的三维纳米结构半导体，所述氚基同位素源贮存于半导体网格框架之间孔道间隙中的氚化金属，或为氚与三维纳米结构半导体材料复合形成的氚化半导体，或为氚化金属与氚化半导体的共存结构；所述氚化金属与三维纳米结构半导体形成肖特基接触或欧姆接触，同时还与顶部电极或底部电极连接；所述半导体材料包括元素半导体和化合物半导体两大类，所述元素半导体包括锗和硅，所述化合物半导体包括第Ⅲ和第Ⅴ族化合物、第Ⅱ和第Ⅵ族化合物、氧化物半导体，以及由Ⅲ-Ⅴ族化合物和Ⅱ-Ⅵ族化合物组成的固溶体；所述第Ⅲ和第Ⅴ族化合物选自砷化镓、磷化镓、氮化镓；所述第Ⅱ和第Ⅵ族化合物选自硫化镉、硫化锌；所述氧化物半导体选自氧化锌、氧化锡、氧化钛、氧化镓；所述Ⅲ-Ⅴ族化合物和Ⅱ-Ⅵ族化合物组成的固溶体选自镓铝砷、镓砷磷；所述氚化金属在三维纳米结构中的集成方法如下：首先通过原子层沉积、化学气相沉积、金属溅射、金属电镀或金属蒸发工艺在三维纳米结构半导体表面预沉积5～1000nm的金属薄层，然后在氚气氛中对金属薄层进行氚化，所用温度范围为100～800°C，压力范围为100～1000kPa；所述氚化半导体是将三维纳米结构半导体直接在氚气氛中进行高温高压氚化，所用温度范围为100～800°C，压力范围为100~1000kPa。

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