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龙图腾网恭喜财团法人工业技术研究院申请的专利图像传感器封装件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112701130B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-01-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010150316.4，技术领域涉及：H10F39/18；该发明授权图像传感器封装件及其制造方法是由吴昇财;林育民;罗元听;林昂樱;倪梓瑄;陈昭蓉;黄馨仪设计研发完成，并于2020-03-06向国家知识产权局提交的专利申请。

本图像传感器封装件及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种图像传感器封装件及其制造方法。图像传感器封装件包括重配置线路结构；图像传感器芯片，配置于重配置线路结构上且具有传感面，其中传感面上配置有传感区以及第一导电柱，第一导电柱配置在传感区旁的周围区域；盖体，覆盖传感区；包封体，配置于重配置线路结构上且包封图像传感器芯片与盖体的至少部分；及上部半导体芯片，配置于图像传感器芯片上方且上部半导体芯片的主动面上配置有第一导体，其中第一导体在与传感面垂直的方向上与图像传感器芯片交叠，其中第一导电柱与第一导体彼此对准并接合以电连接图像传感器芯片与上部半导体芯片。

本发明授权图像传感器封装件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种图像传感器封装件，其特征在于，包括：重配置线路结构；图像传感器芯片，配置于所述重配置线路结构上且具有传感面，其中所述传感面上配置有传感区以及第一导电柱，所述第一导电柱并列配置在所述传感区旁的周围区域；盖体，覆盖所述传感区；包封体，配置于所述重配置线路结构、图像传感器芯片上且包封所述图像传感器芯片与所述盖体的至少部分而使所述盖体露出上表面；及上部半导体芯片，邻近所述盖体露出的上表面，所述上部半导体芯片配置于所述包封体及所述盖体的上表面所构成的共面上，且所述上部半导体芯片的主动面上有并列配置的第一导体，其中所述每个第一导体沿着垂直所述传感面的方向上对准并接合所述每个第一导电柱，以电连接所述图像传感器芯片与所述上部半导体芯片。

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