恭喜长鑫存储技术有限公司吴秉桓获国家专利权
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龙图腾网恭喜长鑫存储技术有限公司申请的专利半导体结构的互连方法与半导体结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111261602B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-01-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201811458490.4，技术领域涉及：H01L23/48；该发明授权半导体结构的互连方法与半导体结构是由吴秉桓设计研发完成，并于2018-11-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构的互连方法与半导体结构在说明书摘要公布了：本公开提供一种用于半导体结构的互连方法与半导体结构。互连方法包括：提供堆叠结构，所述堆叠结构包括多层键合的晶圆或芯片，每层所述晶圆或芯片包括衬底和布线层，所述布线层包括多条金属导线；形成硅通孔于所述堆叠结构，所述硅通孔与第一数量条金属导线相连接；对与所述硅通孔相连接的第二数量条所述金属导线进行绝缘处理，所述第二数量小于所述第一数量；填充导电材料于所述硅通孔。本公开的互连方法可以通过一次掩模刻蚀制程制作使堆叠结构中各层晶圆或芯片进行电连接的半导体结构。
本发明授权半导体结构的互连方法与半导体结构在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的互连方法，其特征在于，包括：提供堆叠结构，所述堆叠结构包括多层键合的晶圆或芯片，每层所述晶圆或芯片包括衬底和布线层，所述布线层包括多条金属导线；形成硅通孔于所述堆叠结构，所述硅通孔与第一数量条所述金属导线相连接；对与所述硅通孔相连接的第二数量条所述金属导线进行绝缘处理，所述第二数量小于所述第一数量；填充导电材料于所述硅通孔。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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