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龙图腾网恭喜深圳市中兴微电子技术有限公司申请的专利图像去噪方法、装置和存储介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113643189B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-01-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010346311.9，技术领域涉及：G06T5/60；该发明授权图像去噪方法、装置和存储介质是由艾吉松;徐科;孔德辉;王宁;刘欣;游晶;朱方设计研发完成，并于2020-04-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本图像去噪方法、装置和存储介质在说明书摘要公布了：本申请提出一种图像去噪方法、装置和存储介质，该方法包括：获取待处理图像，将待处理图像输入至图像去噪模型中，获取去噪后的图像，其中，图像去噪模型为结合U型网络、残差网络以及稠密网络形成的模型。本实施例中的图像去噪模型，可以结合残差网络和稠密网络的特点，更好地利用待处理图像的深层和浅层特征，能实现在去掉噪声的同时，尽可能保留待处理图像的细节，从而，在实现较好的去噪性能的基础上，兼顾去噪后的图像质量。

本发明授权图像去噪方法、装置和存储介质在权利要求书中公布了：1.一种图像去噪方法，其特征在于，所述方法包括：获取待处理图像；将所述待处理图像输入至图像去噪模型中，获取去噪后的图像；其中，所述图像去噪模型为结合U型网络、残差网络以及稠密网络形成的模型，所述图像去噪模型包括：依次连接的输入层、第一卷积层、至少一个稠密残差模块、稠密残差块、至少一个上采样模块、第二卷积层、第三卷积层以及输出层；其中，所述输入层的输出端还与所述第三卷积层的输出端进行相减操作，相减操作后的结果输入至所述输出层的输入端；所述第一卷积层的输出端还与所述第二卷积层的输出端进行相加操作，相加操作后的结果输入至所述第三卷积层的输入端；所述稠密残差模块包括依次连接的第一稠密残差子模块以及卷积子模块，所述上采样模块包括依次连接的上采样子模块以及第二稠密残差子模块；所述第一稠密残差子模块的输出端还与所述上采样子模块的输入端进行相加操作。

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