恭喜意法半导体国际公司C·特林加利获国家专利权
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龙图腾网恭喜意法半导体国际公司申请的专利HEMT器件获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN222582862U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-07发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202420467843.1，技术领域涉及：H10D30/47；该实用新型HEMT器件是由C·特林加利;A·康斯坦特;M·E·卡斯塔尼亚;F·尤科纳洛设计研发完成，并于2024-03-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本HEMT器件在说明书摘要公布了：本实用新型涉及HEMT器件，包括：本体，具有顶表面和异质结构；栅极区域，包括半导体材料，布置在本体的顶表面上，栅极区域具有第一侧向侧壁和与第一侧向侧壁相对的第二侧向侧壁；非导电材料的密封层，在栅极区域的第一侧向侧壁和第二侧向侧壁上延伸并与其接触；非导电材料的钝化层，具有在本体的顶表面上侧向于栅极区域的第一侧向侧壁延伸的表面部分，密封层与钝化层具有不同的几何参数；以及非导电材料的间隔物区域，位于钝化层与密封层之间，该间隔物区域将密封层与处于其中钝化层不在本体的顶表面上的位置的钝化层分开。
本实用新型HEMT器件在权利要求书中公布了：1.一种HEMT器件，其特征在于，包括：本体，具有顶表面和异质结构；栅极区域，包括半导体材料，布置在本体的顶表面上，栅极区域具有第一侧向侧壁和与第一侧向侧壁相对的第二侧向侧壁；非导电材料的密封层，在栅极区域的第一侧向侧壁和第二侧向侧壁上延伸并与其接触；非导电材料的钝化层，具有在本体的顶表面上侧向于栅极区域的第一侧向侧壁延伸的表面部分，密封层与钝化层具有不同的几何参数；以及非导电材料的间隔物区域，位于钝化层与密封层之间，该间隔物区域将密封层与处于其中钝化层不在本体的顶表面上的位置的钝化层分开。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人意法半导体国际公司，其通讯地址为：瑞士；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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