恭喜合肥晶合集成电路股份有限公司王海萍获国家专利权
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龙图腾网恭喜合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利一种LDMOS器件获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN222582864U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-07发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202420394347.8，技术领域涉及：H10D30/65；该实用新型一种LDMOS器件是由王海萍;王维安;杨宗凯;陈信全;彭康设计研发完成，并于2024-02-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种LDMOS器件在说明书摘要公布了：本实用新型提供一种LDMOS器件，通过埋层条结构沿纵向周期性交替设置的第一埋层和第二埋层，且所述埋层条结构的最顶层为第一埋层，使得其没有增加LDMOS器件的尺寸，同时由于埋层条结构在每次离子注入以形成第一埋层或第二埋层时均可以采用相同的掩模板，使得同一个掩模板分次交替注入第一埋层和第二埋层；在所述埋层条结构中，第一埋层增加了漂移区的N型导电通道数量，且提高了N型载流子浓度，降低了导通通道Ron，第二埋层可以分散N型导电通道中辅助耗尽，使得耗尽区增大，提高了击穿电压BV，从而使得埋层条结构可以有效提高LDMOS器件的击穿电压BV，同时降低导通通道Ron。
本实用新型一种LDMOS器件在权利要求书中公布了：1.一种LDMOS器件，包括设置在半导体衬底中具有第一导电类型的阱区以及具有第二导电类型的漂移区，所述阱区和漂移区相邻且接触设置，在所述阱区和漂移区的交界处上设置有多晶硅栅极结构，所述阱区中设置有源区，所述漂移区中设置有漏区，所述源区和漏区位于所述多晶硅栅极结构两侧，其特征在于，所述漂移区中还设置有至少一个间隔设置的埋层条结构，所述埋层条结构从位于一侧的所述源区向另一侧的所述漏区的方向延伸，所述埋层条结构包括从下至上依次周期性交替设置的第一埋层和第二埋层，且所述埋层条结构的最底层和最顶层均为第一埋层，所述第一埋层具有第二导电类型，所述第二埋层具有第一导电类型。
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