恭喜西北工业大学王宏磊获国家专利权
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龙图腾网恭喜西北工业大学申请的专利一种分层有耗介质中辐射源层电磁场的高效求解方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN117909626B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-07发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202410049889.6,技术领域涉及:G06F17/11;该发明授权一种分层有耗介质中辐射源层电磁场的高效求解方法是由王宏磊;王熙文;任英达设计研发完成,并于2024-01-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种分层有耗介质中辐射源层电磁场的高效求解方法在说明书摘要公布了:本发明涉及一种分层有耗介质中辐射源层电磁场的高效求解方法,通过选取来自辐射层界面的幅度系数求解得到二次场,再与背景场进行叠加后获得辐射源层电磁场。由于来自辐射层界面的幅度系数相差最小,本方法对积分区间和采样点数的要求较低,且背景场可通过理论公式直接获得,相较于传统方法整体所需内存和时间也大幅度降低,计算效率更高。本发明降低分层有耗介质中辐射源层电磁场的计算成本,提升模型的求解速率,进而保障海洋电磁探测等研究的高效开展。该方法相对于传统方法求解速度更快,且对计算资源需求更低。
本发明授权一种分层有耗介质中辐射源层电磁场的高效求解方法在权利要求书中公布了:1.一种分层有耗介质中辐射源层电磁场的高效求解方法,其特征在于步骤如下:步骤1:分层有耗介质模型中辐射层中电磁场表示为TE波和TM波的叠加,建立电磁场中每一个分量的电磁场表达式;所述分层有耗介质模型中具有三层有耗介质模型:第1层至-1层厚度均为无穷大;第0层为辐射源所在层,厚度为d,辐射天线为水平磁偶极子HMD,与0层上界面距离为d1;接收点P位于以HMD中心为原点的柱坐标中处;μl,εl,σl分别为第ll=-1,0,1层的磁导率,介电常数,电导率;步骤2:根据电磁场的边界条件、传播矩阵和偶极子天线类型,得到z≥0时,辐射层的幅度系数为: 式中,IS为磁偶极子极距;以及z≤0时辐射层的幅度系数; 步骤3:选用幅度相差最小的A0+,B0-和C0+,D0-输入电磁场表达式中,对每一个分量电磁场进行求解,得到该分量辐射层界面产生的二次场;步骤4:将二次场和背景场进行矢量相加,得到辐射层中电磁场总场的每一个分量。
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