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龙图腾网恭喜等离子体装备科技(广州)有限公司;广东省新兴激光等离子体技术研究院申请的专利连接器镀膜方法及其制备工艺获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117418208B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311010895.2，技术领域涉及：C23C14/54；该发明授权连接器镀膜方法及其制备工艺是由曹祯烨;朱昆;曹健辉;陈惠君;刘嘉静;颜学庆设计研发完成，并于2023-08-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本连接器镀膜方法及其制备工艺在说明书摘要公布了：本申请涉及一种连接器镀膜方法及其制备工艺，该镀膜方法包括：设置遮盖层遮挡所制备的连接器的接触组件的非镀膜部位，根据连接器镀膜所需的镀膜材料选择靶材；获取连接器的镀膜部位的成型的深孔器件的内孔结构参数；根据内孔结构参数规划镀膜部位深孔器件相对于靶材的安装位置；将深孔器件放入真空腔室，并根据安装位置进行安装深孔器件；关闭真空腔室的腔门，控制真空腔室的达到合适的真空气压和温度并通入适量的工作气体，对深孔器件的内孔连接器进行物理气相沉积镀膜。该技术方案，在保证导电性能基础上实现更薄的薄膜，避免了镀膜部位深孔的漏镀和夹断现象；而且可以采用合金靶材或多靶同时镀膜的方式进行合金镀膜或多层镀膜。

本发明授权连接器镀膜方法及其制备工艺在权利要求书中公布了：1.一种连接器镀膜方法，其特征在于，包括：设置遮盖层遮挡所制备的连接器的接触组件的非镀膜部位，所述连接器包括若干个深孔器件；根据所述连接器镀膜所需的镀膜材料选择靶材；获取所述连接器的镀膜部位的结构参数，并根据所述结构参数规划所述连接器的镀膜部位相对于靶材的安装位置，包括：根据溅射靶材的运行参数计算溅射粒子沉积速率和偏压，并建立镀膜数理模型，根据所述镀膜数理模型拟合最适沉积区域，根据所述最适沉积区域规划靶材与深孔器件的最佳沉积方位；其中，所述结构参数为连接器成型的深孔器件的内孔结构参数；根据目标镀膜厚度和深孔的孔径、孔深参数来确定深孔器件与靶材之间关系；计算孔深与孔径比值K＝LD，L为孔深，D为孔径，根据K值设计靶基距的关系如下：若K＜3，采用PVD物理气相沉积法直接沉积薄膜，靶基距为80-150mm，沉积角度限定为20-40°；若3＜K＜6，采用数理模型分析工件结构、粒子沉积方位，调整靶材基距为90-140mm，沉积角度为20-40°；若6＜K＜10，工件表面采用数理模型分析工件结构、粒子沉积方位，设计最佳沉积方位，靶基距为110-140mm，靶角度限定为10-25°；将所述连接器放入真空腔室，并根据所述安装位置安装所述连接器；关闭真空腔室的腔门，控制所述真空腔室的达到合适的真空气压和温度并通入适量的工作气体，对所述连接器进行物理气相沉积镀膜。

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