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龙图腾网恭喜首都航天机械有限公司申请的专利一种大角度悬空结构电弧增材制造路径规划方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115740886B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211399894.7，技术领域涉及：B23K37/02；该发明授权一种大角度悬空结构电弧增材制造路径规划方法是由李权;冯晨;王福德;陈金存;刘琦;张睿泽;倪江涛;罗志伟;梁晓康;董鹏;严振宇;高晶;李凯金;崔保伟;马芳设计研发完成，并于2022-11-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种大角度悬空结构电弧增材制造路径规划方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种大角度悬空结构电弧增材制造路径规划方法，涉及电弧增材制造领域，包括建立悬空结构件的工件坐标系，竖直向上的方向为Z轴，悬空结构件与Z轴正向之间的角度为30°‑90°，对低熔点的悬空结构件的待增材区域，采用平面分层切片方法进行分层切片，并生成三坐标x，y，z成形路径；每一层的分层切片，均沿着成形路径进行成形，直到每一层分层切片成形至悬空部位时，沉积头相对于竖直方向倾转30°‑60°，并沿着悬空结构的生长方向指向待成形悬空结构端面。能够对低熔点的大角度悬空结构进行精确成形。

本发明授权一种大角度悬空结构电弧增材制造路径规划方法在权利要求书中公布了：1.一种大角度悬空结构电弧增材制造路径规划方法，其特征在于：包括S1：建立悬空结构件的工件坐标系，竖直向上的方向为Z轴，悬空结构件与Z轴正向之间的角度为30°-90°，对低熔点的悬空结构件的待增材区域，采用平面分层切片方法进行分层切片，并生成三坐标x，y，z成形路径；S2：每一层的分层切片，均沿着成形路径进行成形，直到每一层分层切片成形至悬空部位时，沉积头相对于竖直方向倾转30°-60°，并沿着悬空结构的生长方向指向待成形悬空结构端面，最终得到成型构件的悬空角度λ＝30°-60°；对与Z轴正向之间的角度30°-60°的所述悬空结构件，S1：采用平面分层切片方法，根据设定层高Lh沿Z向分层切片悬空结构件，求取第1至n层成形路径上各点的x、y、z坐标；S2：遍历第n-1层的所有坐标点，找出与第n层、第m个坐标点P[n][m]x,y,z距离最近的2个坐标点P[n-1][k-1]x,y,z、P[n-1][k]x,y,z；S3：求P[n][m]坐标点到P[n-1][k-1]和P[n-1][k]连线的垂足坐标P[n-1][m]；S4：将P[n-1][m]与P[n][m]的连线方向作为沉积头的悬空角度方向；S5：根据P[n-1][m]与P[n][m]的坐标，求解P[n-1][m]与P[n][m]的连线方向矢量Dr[n][m]＝[dx,dy,dz]；当所述悬空结构件与Z轴之间的角度为60°-90°时，悬空结构件与其连接的外壳之间设置斜角支撑部，斜角支撑部从悬空结构件悬空端的下表面开始逐渐向下倾斜延伸至悬空结构件起始端；对与Z轴正向之间的角度为60°-90°的所述悬空结构件，沉积头的位姿确定方法如下：Y1：在悬空结构件的下方设计斜角支撑部，斜角支撑部下表面与Z轴之间的角度为λ；Y2：采用平面分层切片方法，根据设定层高Lh沿Z向分层切片悬空结构件，根据设定层高分层切片，求取第1至n层的支撑部分外轮廓的x、y、z坐标；Y3：以第n层的第m个坐标P[n][m]与第m-1个坐标P[n][m-1]连线作为第m点的切线方向Tn；Y4：求过第m点，与Tn垂直、与竖直方向夹角为λ的直线Dn；Y5：直线Dn的方向即为沉积头倾转方向，其方向矢量Dr[n][m]＝[dx,dy,dz]。

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