恭喜台湾积体电路制造股份有限公司游佳达获国家专利权
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龙图腾网恭喜台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN109768086B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201811036916.7，技术领域涉及：H10D30/62；该发明授权半导体结构是由游佳达;王圣祯;杨丰诚;陈燕铭;杨世海设计研发完成，并于2018-09-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构在说明书摘要公布了：本发明是半导体结构。鳍状场效晶体管装置的外延结构包括基板、具有两个鳍状物的鳍状结构、沿着鳍状物的侧壁形成的内侧鳍状物间隔物与外侧鳍状物间隔物、以及形成于鳍状物周围的隔离区。鳍状场效晶体管装置亦包含栅极结构形成于鳍状结构上，以及外延结构形成于源极漏极区中的鳍状结构上。外延结构的形成方法为合并鳍状物与至少一外延半导体层，并包括气隙。气隙的体积取决于内侧鳍状物间隔物的高度与分隔距离。
本发明授权半导体结构在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，包括： 一鳍状结构，具有一第一鳍状物与一第二鳍状物形成于一半导体基板上，其中该第一鳍状物与该第二鳍状物的一通道区具有高度Hf； 多个内侧鳍状物间隔物，沿着该第一鳍状物与该第二鳍状物的内侧侧壁形成，其中所述内侧鳍状物间隔物具有高度Hi； 多个外侧鳍状物间隔物，沿着该第一鳍状物与该第二鳍状物的外侧侧壁形成，其中所述外侧鳍状物间隔物具有高度Ho，且高度Ho小于高度Hi；以及 一外延结构，形成于该第一鳍状物与该第二鳍状物上，其中该外延结构封闭所述内侧鳍状物间隔物所形成的一气隙，且该气隙具有至少一宽度P，其中宽度P为所述内侧鳍状物间隔物的相对侧壁之间分隔的分隔距离，其中该气隙包括： 该第一鳍状物与该第二鳍状物的所述内侧鳍状物间隔物之间的一第一部分，其中该第一部分具有高度Hi；以及 该第一部分上的一第二部分，其中该第二部分具有高度Ha，且高度Hi与高度Ha的总和为30％至80％的高度Hf。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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