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龙图腾网恭喜华中科技大学申请的专利非易失可编程光学相移系统、相移方法及相移器设计方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115453776B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211048525.3，技术领域涉及：G02F1/01；该发明授权非易失可编程光学相移系统、相移方法及相移器设计方法是由张敏明;胡乔木;刘德明设计研发完成，并于2022-08-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本非易失可编程光学相移系统、相移方法及相移器设计方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种非易失可编程光学相移系统、相移器设计方法以及基于该相移器的光学相移方法，其中，相移器包括依次叠设于半导体基底上的下包层、光波导以及相变材料薄膜层，其中，相变材料薄膜层具n个沿波导方向并排设置的相变单元，当输入工作光波时，相移器在工作光波下非晶态与晶态消光系数差不大于0.1，n个相变单元中的第i个相变单元在完全晶态和完全非晶态间转变所引起的工作光波的相位差为2π2i，i＝1,2,3……,n。上述相移器设置n个呈一定规律变化的相变单元，以一定的状态组合方式实现整个波导的0‑2π间以2π2nn为相变材料单元总数为步进的任意总相移量，可以实现2n种相变，大大减少了相变单元的数量，简化相移器结构以及相移单元的控制系统。

本发明授权非易失可编程光学相移系统、相移方法及相移器设计方法在权利要求书中公布了：1.一种非易失可编程光学相移器设计方法，其特征在于，包括：确定相移器的基本结构，所述相移器包括半导体基底、叠设于所述半导体基底上的下包层、叠设于所述下包层上的光波导以及叠设于所述光波导上的相变材料薄膜层，所述相变材料薄膜层具n个沿波导方向并排设置的相变单元，每个相变单元全部位于所述光波导上，所述相变单元包括等宽的中间段和自中间段沿平行于波导方向向两侧延伸且宽度逐渐减小的渐变段，n个相变单元中，相位差越大的相变单元沿波导方向延伸的长度越大；根据输入相移器的工作光波确定每个相变单元的尺寸，使相移器在工作光波下非晶态与晶态消光系数差不大于0.1，n个相变单元中的第i个相变单元在完全晶态和完全非晶态间转变所引起的工作光波的相位差为2π2i，i＝1,2,3……,n。

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