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龙图腾网恭喜京东方科技集团股份有限公司申请的专利显示基板及其制备方法、显示装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115332269B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210968965.4，技术领域涉及：H10D86/60；该发明授权显示基板及其制备方法、显示装置是由李然;刘政;田宏伟;王晶设计研发完成，并于2022-08-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本显示基板及其制备方法、显示装置在说明书摘要公布了：一种显示基板及其制备方法、显示装置。显示基板包括设置在基底上的驱动结构层，驱动结构层包括像素驱动电路，像素驱动电路至少包括第一类型晶体管和第二类型晶体管，第一类型晶体管至少包括第一有源层，第二类型晶体管至少包括第二有源层；第一有源层包括第一沟道区域以及位于第一沟道区域两侧的第一源漏连接区域，第二有源层包括第二沟道区域以及位于第二沟道区域两侧的第二源漏连接区域；第一源漏连接区域对应的第一有源层的电阻率与第二源漏连接区域对应的第二有源层的电阻率不同。

本发明授权显示基板及其制备方法、显示装置在权利要求书中公布了：1.一种显示基板，其特征在于，包括设置在基底上的驱动结构层，所述驱动结构层包括像素驱动电路，所述像素驱动电路至少包括第一类型晶体管和第二类型晶体管，所述第一类型晶体管是驱动晶体管，所述第二类型晶体管是开关晶体管，所述第一类型晶体管至少包括第一有源层，所述第二类型晶体管至少包括第二有源层；所述第一有源层包括第一沟道区域以及位于所述第一沟道区域两侧的第一源漏连接区域，所述第二有源层包括第二沟道区域以及位于所述第二沟道区域两侧的第二源漏连接区域；所述第一源漏连接区域对应的第一有源层的电阻率低于所述第二源漏连接区域对应的第二有源层的电阻率；其中，所述第一源漏连接区域对应的第一有源层和所述第二源漏连接区域对应的第二有源层均包含掺杂的N型离子，所述第一源漏连接区域对应的第一有源层中N型离子的含量为1E18cm-3至1E21cm-3，所述第二源漏连接区域对应的第二有源层中N型离子的含量为1E15cm-3至1E18cm-3；或者，所述第一源漏连接区域对应的第一有源层和所述第二源漏连接区域对应的第二有源层均包含掺杂的P型离子，所述第一源漏连接区域对应的第一有源层中P型离子的含量为1E18cm-3至1E21cm-3，所述第二源漏连接区域对应的第二有源层中P型离子的含量为1E15cm-3至1E18cm-3。

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