恭喜南京大学闫锋获国家专利权
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龙图腾网恭喜南京大学申请的专利基于复合介质栅光敏探测器的单电子读出电路及方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115361513B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210942472.3，技术领域涉及：H04N25/75；该发明授权基于复合介质栅光敏探测器的单电子读出电路及方法是由闫锋;刘泉;马浩文设计研发完成，并于2022-08-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于复合介质栅光敏探测器的单电子读出电路及方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于复合介质栅光敏探测器的单电子读出电路及方法。其光敏探测器包括形成在同一衬底上的感光晶体管和读取晶体管，这两个晶体管共用一个复合介质栅，复合介质栅包括底层介质层、电荷耦合层、顶层介质层和控制栅。该读出电路包括相关双采样电路、放大电路和量化电路，相关双采样电路用于对读取晶体管的漏极电流采样，放大电路用于对相关双采样电路输出的电压信号进行放大，量化电路用于对放大电路输出的电压信号进行单比特量化。本发明基于复合介质栅光敏探测器提供一种低噪声、高增益、高帧率的读出电路及其方法，能够实现单电子级别的读出，解决了对高分辨低照度场景的高性能成像问题。
本发明授权基于复合介质栅光敏探测器的单电子读出电路及方法在权利要求书中公布了：1.基于复合介质栅光敏探测器的单电子读出电路，其光敏探测器包括形成在同一衬底上的感光晶体管和读取晶体管，这两个晶体管共用一个复合介质栅，所述复合介质栅包括底层介质层、电荷耦合层、顶层介质层和控制栅；其特征在于，所述读出电路包括相关双采样电路、放大电路和量化电路，所述相关双采样电路用于对读取晶体管的漏极电流采样，所述放大电路用于对相关双采样电路输出的电压信号进行放大，所述量化电路用于对放大电路输出的电压信号进行单比特量化；所述顶层介质层的厚度大于10nm，且所述复合介质栅的尺寸小于500nm。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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