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龙图腾网恭喜南开大学申请的专利一种具有低能耗的双极性突触晶体管及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114744117B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210418755.8，技术领域涉及：H10K71/16；该发明授权一种具有低能耗的双极性突触晶体管及其制备方法是由徐文涛;刘璐设计研发完成，并于2022-04-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种具有低能耗的双极性突触晶体管及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明为一种具有低能耗的双极性突触晶体管及其制备方法。该晶体管的结构为：衬底上为半导体层，半导体层的两端是电极，电极之间的半导体层上，覆盖有离子胶层；所述半导体层由下到上依次为MoS2薄膜、h‑BN薄膜、P3HTPEO纳米线阵列；制备方法为在h‑BNMoS2层上打印PEOP3HT有机纳米线阵列作为p型沟道，其丰富的离子陷阱态为空穴诱导的电流提供相对长程可塑性。本发明通过引入低维材料，实现了对器件能耗的优化，器件单次突触活动触发的能耗低至2.82fJ。

本发明授权一种具有低能耗的双极性突触晶体管及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种具有低能耗的双极性突触晶体管的制备方法，其特征为该方法包括以下步骤：1将衬底清洗；2将清洗后的衬底置于双温管式炉中，将质量比为1:1-5的MoO3和固体硫为钼源和硫源，在双温管式炉中分别加热5-20min，生长载气采用氩气，生长压力为1-5kPa，MoO3生长温度为500-1000℃，固体硫生长温度为200-500℃，制备为MoS2薄膜；3混合气氛下，将铜箔和硼烷氨络合物置于双温管式炉中，铜箔加热至500-1500℃，加热30-60min；硼烷氨络合物作为h-BN的生长源，加热温度为50-200℃，加热时间为10-60min；最终在铜箔表面得到h-BN薄膜；其中，每3-10×3-10cm2铜箔放置0.01-0.5g硼烷氨络合物；所述的混合气氛的组成为氢气和氩气，氢气与氩气的体积流量比为1:10-50；4将聚甲基丙烯酸甲酯PMMA溶液，旋涂至步骤3所得h-BN表面，得到附着在铜箔上的PMMAh-BN薄膜；其中，PMMA溶液的质量百分浓度为1-10%，溶剂为氯苯；旋涂转速为2000~3000rmin，时间为10-60s；5将步骤4所得的在铜箔基底上的PMMAh-BN薄膜中浸入到腐蚀溶液中进行腐蚀，PMMAh-BN薄膜从铜箔上脱落；其中，腐蚀时间为5-24h；腐蚀溶液为FeCl3溶液，浓度为1-5molL；6将步骤5所得PMMAh-BN贴附到步骤2所得MoS2薄膜上，得到PMMAh-BNMoS2薄膜，再将薄膜置于无水丙酮中1-5h，溶解PMMA，得到附着在衬底上的h-BNMoS2薄膜；7利用电流体喷印设备，在步骤6所得的h-BNMoS2薄膜上将前驱体溶液打印出PEOP3HT纳米线阵列，制备为PEOP3HTh-BNMoS2半导体层；所述的前驱体溶液的制备方法：将质量比为1-5:1的聚3-己基噻吩P3HT、聚环氧乙烷PEO溶解于混合溶剂中，常温搅拌0.5-24小时，配置成前驱体溶液；混合溶剂是质量比为1:1-5的三氯乙烯和氯苯；前驱体溶液中，P3HT的质量浓度为1-10%；其中，喷嘴与基板距离设置为2-5mm，喷嘴与集电极之间产生的电场为1-5kV，基板运动速度为0.1-1ms，PEOP3HT纳米线阵列中纳米线的条数为20-100条；8利用掩模板，在步骤7获得的半导体层表面蒸镀间隔分布的两个金属电极，制备为晶体管器件；9将离子胶薄膜贴附于步骤10获得的薄膜晶体管器件上，制备为突触晶体管器件。

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