恭喜TCL华星光电技术有限公司刘忠杰获国家专利权
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龙图腾网恭喜TCL华星光电技术有限公司申请的专利薄膜晶体管、其制作方法及显示面板获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114823912B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210357837.6，技术领域涉及：H10D30/67；该发明授权薄膜晶体管、其制作方法及显示面板是由刘忠杰;郭雷;任武峰;吴灵智;董石宇;张忠阳设计研发完成，并于2022-04-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本薄膜晶体管、其制作方法及显示面板在说明书摘要公布了：本发明提供了一种薄膜晶体管、其制作方法及显示面板，薄膜晶体管的制作方法，包括：基底；依次位于基底上栅极层和栅绝缘层；位于栅绝缘层上的含氢层；位于含氢层上的半导体层，半导体层包括源掺杂区和漏掺杂区，源掺杂区和漏掺杂区分别间隔设置于半导体层的两端；分别位于源掺杂区和漏掺杂区上的源电极层和漏电极层。通过在栅绝缘层和半导体层之间形成一层含氢层，优化栅绝缘层中的原子结构，减少结构缺陷，降低阈值电压，提升开态电流，以提升器件性能，从而提高面板的良率和可靠性。
本发明授权薄膜晶体管、其制作方法及显示面板在权利要求书中公布了：1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：基底；依次位于所述基底上栅极层和栅绝缘层，所述栅绝缘层的材料为氮化硅，所述栅绝缘层的制作材料包括硅源、氮源且不包括作为氢源的氢气；位于栅绝缘层上的含氢层，所述含氢层的材料为氢化氮化硅，所述含氢层的制作材料包括硅源、氮源、作为氢源的氢气；位于所述含氢层上的半导体层，所述半导体层包括源掺杂区和漏掺杂区，所述源掺杂区和所述漏掺杂区分别间隔设置于所述半导体层的两端，所述半导体层的材料包括氢化非晶硅；分别位于所述源掺杂区和所述漏掺杂区上的源电极层和漏电极层。
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