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龙图腾网恭喜北京绿能芯创电子科技有限公司申请的专利碳化硅沟槽MOSFET器件结构及加工方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114005869B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111307870.X，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权碳化硅沟槽MOSFET器件结构及加工方法是由请求不公布姓名;请求不公布姓名设计研发完成，并于2021-11-05向国家知识产权局提交的专利申请。

本碳化硅沟槽MOSFET器件结构及加工方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种碳化硅沟槽MOSFET器件结构及加工方法，包括：碳化硅N+衬底、碳化硅外延N区、P井区、P+区、N+区、氧化层、栅极、栅氧、正面金属以及源极；碳化硅N+衬底上侧生长碳化硅外延N区；碳化硅外延N区上侧设置栅极和栅氧，栅极外侧部分设置栅氧；栅极上侧生长氧化层，栅极两侧设置P井区；P井区上侧和侧面设置N+区，P井区上设置P+区；P井区、P+区以及N+区上侧设置源极；源极和栅极上侧设置正面金属。本设计通过源区设置沟槽结构及多层外延工艺使器件在工作时栅电极下的峰值电场向源电极转移，降低了栅电极下的的峰值电场，从而能够有效降低了栅氧承受的更高电场强度，避免栅氧化层提前击穿，使得器件获得较好的击穿电压。

本发明授权碳化硅沟槽MOSFET器件结构及加工方法在权利要求书中公布了：1.一种碳化硅沟槽MOSFET器件结构的加工方法，其特征在于，该碳化硅沟槽MOSFET器件结构，其包括碳化硅N+衬底（1）、碳化硅外延N区（2）、P井区（3）、P+区（4）、N+区（5）、第二氧化层（6）、栅极（7）、栅氧（8）、正面金属（9）以及源极（11）；所述碳化硅N+衬底（1）上侧生长所述碳化硅外延N区（2）；所述碳化硅外延N区（2）上侧设置所述栅极（7）和所述栅氧（8），所述栅极（7）外侧部分设置所述栅氧（8）；所述栅极（7）上侧生长所述第二氧化层（6），所述栅极（7）两侧设置所述P井区（3）；所述P井区（3）上侧和侧面设置所述N+区（5），所述P井区（3）上设置所述P+区（4）；所述P井区（3）、所述P+区（4）以及所述N+区（5）上侧设置所述源极（11）；所述源极（11）和所述栅极（7）上侧设置所述正面金属（9）；所述碳化硅N+衬底（1）下侧设置背面漏极（10）；所述碳化硅外延N区（2）上侧两边设置第一沟槽，所述碳化硅外延N区（2）上侧中间设置第二沟槽；所述第一沟槽内和所述碳化硅外延N区（2）上侧设置所述P井区（3）；所述第二沟槽内设置所述栅极（7）和所述栅氧（8）；所述第一沟槽内设置为所述源极（11）；该方法包括以下步骤：步骤S1，所述碳化硅N+衬底（1）上表面生长所述碳化硅外延N区（2）；步骤S2，所述碳化硅外延N区（2）上侧生长SiO2保护层，所述SiO2保护层通过淀积实现，所述SiO2保护层通过光刻胶涂布曝光显影工艺进行SiO2刻蚀处理并形成第一源区窗口；所述第一源区窗口进行刻蚀并形成所述第一沟槽；去除所述SiO2保护层并进行清洗、吹干以及烘干；步骤S3，所述碳化硅外延N区（2）上侧通过外延设备生长所述P井区（3），所述P井区（3）通过外延设备生长所述N+区（5）；步骤S4，再次通过光刻胶涂布曝光显影工艺进行刻蚀处理并形成第二源区窗口，所述第二源区窗口处进行刻蚀，刻蚀深度为穿过所述N+区（5）和所述P井区（3）并到达所述P井区（3）下部；进行P+注入并形成所述P+区（4）；步骤S5，去除氧化层及光阻并进行清洗、吹干以及烘干，淀积碳膜后进行高温退火激活；步骤S6，再次通过光刻胶涂布曝光显影工艺进行刻蚀处理并形成栅极区窗口，所述栅极区窗口通过刻蚀形成所述第二沟槽；所述第二沟槽内通过热氧生长二氧化硅并形成所述栅氧（8）；所述第二沟槽内填充多晶硅；步骤S7，进行热氧并生长第二氧化层（6），通过光刻胶涂布曝光显影工艺进行刻蚀处理并形成所述源极（11）和所述栅极（7）的欧姆接触图形；步骤S8，进行正面金属沉淀并形成所述正面金属（9）后，对硅片进行研磨减薄；在所述硅片背面进行漏极金属淀积并形成所述背面漏极（10）。

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