恭喜硅电子股份公司T·施泰特纳获国家专利权
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龙图腾网恭喜硅电子股份公司申请的专利用于在衬底晶圆上沉积外延层的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116057202B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180055480.X，技术领域涉及：C30B25/12；该发明授权用于在衬底晶圆上沉积外延层的方法是由T·施泰特纳;M·文鲍尔设计研发完成，并于2021-07-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于在衬底晶圆上沉积外延层的方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种用于由气相在衬底晶圆上沉积外延层的方法，包括：测量衬底晶圆的边缘几何形状，其中所述边缘几何形状基于边缘位置将厚度特征值指派给衬底晶圆的边缘；将衬底晶圆放置在用于沉积外延层的装置的基座的袋状部中，其中袋状部被具有圆形的圆周的边界包围；加热衬底晶圆；以及使工艺气体在衬底晶圆上方通过；其特征在于，衬底晶圆被放置在袋状部中，使得在具有较厚边缘的厚度特征值的边缘位置处从衬底晶圆到袋状部的边界的距离比在具有较薄边缘的厚度特征值的边缘位置处从衬底晶圆到袋状部的边界的距离小。
本发明授权用于在衬底晶圆上沉积外延层的方法在权利要求书中公布了：1.一种用于由气相在衬底晶圆上沉积外延层的方法，包括：测量所述衬底晶圆的边缘几何形状，其中所述边缘几何形状将厚度特征值作为边缘位置的函数指派给所述衬底晶圆的边缘，所述衬底晶圆在一个边缘区段中具有相对低的边缘厚度而在相对的边缘区段中具有相对高的边缘厚度，所述衬底晶圆具有彼此相对的较厚边缘区段和较薄边缘区段，边缘区段是指沿圆周方向在圆周的最高达到50%的距离上延伸的边缘区域；将所述衬底晶圆放置在用于沉积所述外延层的装置的基座的袋状部中，所述袋状部被具有圆形的圆周的边界包围；加热所述衬底晶圆；以及使工艺气体在所述衬底晶圆上方通过；其特征在于，将所述衬底晶圆放置在所述袋状部中，使得在具有较大厚度特征值的所述较厚边缘区段的边缘位置处从所述衬底晶圆到所述袋状部的边界的距离比在具有较小厚度特征值的所述较薄边缘区段的边缘位置处从所述衬底晶圆到所述袋状部的边界的距离小。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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