恭喜意法半导体(鲁塞)公司R·杰尔马纳-卡尔皮内托获国家专利权
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龙图腾网恭喜意法半导体(鲁塞)公司申请的专利晶体管结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113241379B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110090630.2，技术领域涉及：H10D30/60；该发明授权晶体管结构及其形成方法是由R·杰尔马纳-卡尔皮内托设计研发完成，并于2021-01-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本晶体管结构及其形成方法在说明书摘要公布了：本公开涉及晶体管结构及其形成方法。一个实施例晶体管包括：由第一沟槽界定的半导体漏极区域、以及在第一沟槽中的第一导电元件，该第一导电元件被电耦合到电势的施加的节点，该电势更接近晶体管的漏极电势，而不是更接近晶体管的源极电势。
本发明授权晶体管结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种晶体管，包括：半导体漏极区域，由第一沟槽界定；第一导电元件，位于所述第一沟槽中，其中所述半导体漏极区域包围所述第一导电元件的三个侧面；以及第一节点，被电耦合到所述第一导电元件，所述第一节点被配置为耦合到第一电势，所述第一电势更接近所述晶体管的漏极电势，而不是更接近所述晶体管的源极电势。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人意法半导体(鲁塞)公司，其通讯地址为：法国鲁塞；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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