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龙图腾网恭喜英飞凌科技奥地利有限公司申请的专利半导体器件和用于制造半导体器件的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112652601B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011071704.X，技术领域涉及：H01L23/495；该发明授权半导体器件和用于制造半导体器件的方法是由A·海因里希设计研发完成，并于2020-10-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体器件和用于制造半导体器件的方法在说明书摘要公布了：一种半导体器件，包括：具有金属化层的半导体管芯，所述金属化层包括具有较高熔点的第一金属；管芯载体，其包括具有较高熔点的第二金属；第一金属间化合物，其布置在所述半导体管芯和所述管芯载体之间，并且包括所述第一金属和具有较低熔点的第三金属；第二金属间化合物，其布置在所述第一金属间化合物和所述管芯载体之间，并且包括所述第二金属和所述第三金属；以及第三金属间化合物的沉淀物，其布置在所述第一金属间化合物和所述第二金属间化合物之间，并且包括所述第三金属和具有较高熔点的第四金属。

本发明授权半导体器件和用于制造半导体器件的方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，包括：具有金属化层的半导体管芯，所述金属化层包括具有较高熔点的第一金属；管芯载体，其包括具有较高熔点的第二金属；第一金属间化合物，其布置在所述半导体管芯和所述管芯载体之间，并且包括所述第一金属和具有较低熔点的第三金属；第二金属间化合物，其布置在所述第一金属间化合物和所述管芯载体之间，并且包括所述第二金属和所述第三金属；以及第三金属间化合物的沉淀物，其布置在所述第一金属间化合物和所述第二金属间化合物之间，并且包括所述第三金属和具有较高熔点的第四金属，其中，所述第一金属和所述第二金属是不同的金属，并且其中，所述第一金属间化合物的表面接触所述第二金属间化合物的表面，从而形成界面。

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