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龙图腾网恭喜广东奥普特科技股份有限公司申请的专利一种自适应输入电压的P沟道MOS管驱动电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111835316B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010708406.0，技术领域涉及：H03K3/015；该发明授权一种自适应输入电压的P沟道MOS管驱动电路是由李志荣设计研发完成，并于2020-07-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种自适应输入电压的P沟道MOS管驱动电路在说明书摘要公布了：本发明公开一种自适应输入电压的P沟道MOS管驱动电路，包括第一MOS管、三极管、第一电阻、二极管、第一恒流开关模块、第二恒流开关模块及触发源，第一MOS管的栅极分别与三极管的发射极和第一恒流开关模块连接，第一MOS管的漏极连接有电路输出端，第一MOS管的源极分别连接电路的输入端和三极管的集电极，二极管设置在三极管的发射极和基极之间，三极管的基极分别连接二极管的负极和第二恒流开关模块，第一电阻的一端与电路输入端连接，第一电阻的另一端与三极的基极连接，第一恒流开关模块和第二恒流开关模块均与触发源连接。本发明能够自适应不同的输入电压，拓宽了输入电压的范围。

本发明授权一种自适应输入电压的P沟道MOS管驱动电路在权利要求书中公布了：1.一种自适应输入电压的P沟道MOS管驱动电路，其特征在于：包括第一MOS管Q1、三极管Q2、第一电阻R1、二极管D1、第一恒流开关模块、第二恒流开关模块及触发源，所述第一MOS管Q1的栅极分别与所述三极管Q2的发射极和第一恒流开关模块连接，所述第一MOS管Q1的漏极连接有电路输出端，所述第一MOS管Q1的源极分别连接电路的输入端和所述三极管Q2的集电极，所述二极管D1设置在所述三极管Q2的发射极和基极之间，所述三极管Q2的基极分别连接所述二极管D1的负极和所述第二恒流开关模块，所述二极管D1的正极分别连接所述第一MOS管Q1的栅极、所述三极管Q2的发射极及所述第一恒流开关模块，所述二极管D1的负极分别连接所述第一电阻R1及第二恒流开关模块，所述第一电阻R1的一端与所述电路输入端连接，所述第一电阻R1的另一端与所述三极管Q2的基极连接，所述第一恒流开关模块和所述第二恒流开关模块均与所述触发源连接；所述第一恒流开关模块包括依次连接的第二电阻R2、第一恒流二极管D2及第二MOS管Q3，第一恒流二极管D2的型号为S-103T。

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