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恭喜亚德诺半导体国际无限责任公司M·艾斯梅尔获国家专利权

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龙图腾网恭喜亚德诺半导体国际无限责任公司申请的专利使用自适应耦合装置将偏置电路耦合到放大器获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN112073010B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-07发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202010531115.9,技术领域涉及:H03F3/195;该发明授权使用自适应耦合装置将偏置电路耦合到放大器是由M·艾斯梅尔设计研发完成,并于2020-06-11向国家知识产权局提交的专利申请。

使用自适应耦合装置将偏置电路耦合到放大器在说明书摘要公布了:本公开涉及使用自适应耦合装置将偏置电路耦合到放大器。示例性偏置网络包括:自适应偏置电路,被配置为生成用于放大器的偏置信号,并且进一步包括耦合电路,被配置为将自适应偏置电路耦合至放大器。耦合电路的适应性在于其阻抗取决于放大器要放大的输入信号的功率电平。通过将耦合电路配置为具有取决于输入信号的功率电平的可变阻抗,耦合电路可以适应输入功率电平,从而可以修改偏置信号以减少优化自适应偏置电路可引入到偏置信号中的非线性中的至少一些。

本发明授权使用自适应耦合装置将偏置电路耦合到放大器在权利要求书中公布了:1.用于放大器的偏置网络,该偏置网络包括:偏置电路,被配置为产生用于所述放大器的偏置信号;和耦合电路,被配置为将所述偏置电路耦合到所述放大器,以使得能够将所述偏置信号提供给所述放大器,其中所述耦合电路包括晶体管和电阻器,所述电阻器耦合在该晶体管的源极端子和漏极端子之间,该晶体管的一对源极端子和漏极端子中的第一源极或漏极SD端子耦合至所述放大器的输入,而该对中的第二SD端子耦合至偏置电路的输出,并且所述耦合电路被配置为使得,所述耦合电路的阻抗取决于要由所述放大器放大的输入信号的功率电平,以使得在操作期间,所述晶体管的第一SD端子和第二SD端子之间的电流取决于输入信号的功率电平。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人亚德诺半导体国际无限责任公司,其通讯地址为:爱尔兰利默里克;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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