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龙图腾网恭喜富士电机株式会社申请的专利半导体装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113287201B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080007299.7，技术领域涉及：H10D30/60；该发明授权半导体装置是由洼内源宜设计研发完成，并于2020-05-11向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体装置在说明书摘要公布了：提供一种半导体装置，其具备：半导体基板，其包含第一导电型的漂移区；内侧区域，其包含设置于半导体基板的上表面与漂移区之间的第二导电型的基区，以及阱区，其掺杂浓度比基区的掺杂浓度高，且从半导体基板的上表面起设置到比基区的下端深的位置为止，并被配置为在半导体基板的上表面夹着内侧区域，内侧区域具有多个沿半导体基板的上表面的预定的长边方向具有长边，并从半导体基板的上表面到达漂移区的沟槽部，至少一个沟槽部在与阱区不重叠的区域中沿长边方向分离为2个以上的部分沟槽。

本发明授权半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，其特征在于，具备：半导体基板，其包含第一导电型的漂移区；内侧区域，其包含设置于所述半导体基板的上表面与所述漂移区之间的第二导电型的基区；以及阱区，其掺杂浓度比所述基区的掺杂浓度高，且从所述半导体基板的上表面起设置到比所述基区的下端深的位置为止，并被配置为在所述半导体基板的上表面夹着所述内侧区域，所述内侧区域具有多个沟槽部，所述沟槽部沿所述半导体基板的所述上表面的预定的长边方向具有长边，且所述沟槽部从所述半导体基板的所述上表面到达所述漂移区，至少一个所述沟槽部在与所述阱区不重叠的区域中沿所述长边方向分离为2个以上的部分沟槽，所述内侧区域具有包含被施加栅极电压的栅极沟槽部的晶体管部、以及包含被施加发射极电压的虚设沟槽部的二极管部，所述二极管部中的至少一个所述虚设沟槽部具有所述部分沟槽，所述二极管部的所述虚设沟槽部在所述长边方向上分离为2个以上的部分沟槽。

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