恭喜桑迪士克科技有限责任公司佐野道明获国家专利权
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龙图腾网恭喜桑迪士克科技有限责任公司申请的专利包含侧面接合结构的接合组件及其制造方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN113196466B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-07发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:201980078605.3,技术领域涉及:H01L23/00;该发明授权包含侧面接合结构的接合组件及其制造方法是由佐野道明;山叶高志;伊藤康一;横沟生江;平松辽;渡边数土;加藤克也;山本肇;佐佐木浩志设计研发完成,并于2019-12-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本包含侧面接合结构的接合组件及其制造方法在说明书摘要公布了:本发明公开了一种接合组件,该接合组件包括:第一堆叠,该第一堆叠包括沿堆叠方向接合到第二半导体管芯的第一半导体管芯;第一外部接合垫,该第一外部接合垫形成在该第一半导体管芯内;以及接合连接线。接合连接线中的每个接合连接线在第一半导体管芯的侧壁上方延伸,并且穿过第一半导体管芯的侧壁突出到第一半导体管芯中,以接触第一外部接合垫中的相应一个第一外部接合垫。
本发明授权包含侧面接合结构的接合组件及其制造方法在权利要求书中公布了:1.一种接合组件,所述接合组件包括:第一堆叠,所述第一堆叠包括沿堆叠方向接合到第二半导体管芯的第一半导体管芯,第一外部接合垫,所述第一外部接合垫形成在所述第一半导体管芯内;和接合连接线,其中所述接合连接线中的每个接合连接线在所述第一半导体管芯的侧壁上方延伸,并且穿过所述第一半导体管芯的所述侧壁突出到所述第一半导体管芯中,以接触所述第一外部接合垫中的相应一个第一外部接合垫,并且其中在所述第一外部接合垫上方形成第一牺牲垫覆盖结构;通过从所述第一半导体管芯的侧壁移除所述第一牺牲垫覆盖结构来形成第一侧腔;以及通过将接合线材料直接注入所述第一外部接合垫上的所述第一侧腔中并且通过在所述第一半导体管芯的所述侧壁上方连续地提取所述接合线材料来形成所述接合连接线。
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