恭喜杭州广立微电子股份有限公司张飞虎获国家专利权
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龙图腾网恭喜杭州广立微电子股份有限公司申请的专利用于FinFET工艺中检测边缘鳍形变的测试结构及方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111029330B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201911338331.5，技术领域涉及：H01L23/544；该发明授权用于FinFET工艺中检测边缘鳍形变的测试结构及方法是由张飞虎;陆梅君;刘慧斌;杨慎知设计研发完成，并于2019-12-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于FinFET工艺中检测边缘鳍形变的测试结构及方法在说明书摘要公布了：本发明提供应用于FinFET工艺中探测晶体管边缘鳍形变的测试结构，并基于该测试结构提供一种测试方法，用于检测FinFET工艺特点所导致边缘鳍的弯曲问题；用于FinFET工艺中探测边缘鳍形变的测试结构，所述测试结构包括若干个鳍和若干个不互联的连接层，所述连接层连接于每个待测鳍的两端，所述鳍的个数取值范围在3－1000根之间，鳍的宽度在1－50nm之间，鳍长度在0.1－1000um之间，相邻鳍之间的距离在1－100nm之间。
本发明授权用于FinFET工艺中检测边缘鳍形变的测试结构及方法在权利要求书中公布了：1.一种应用于FinFET工艺中探测边缘鳍形变的测试结构，其特征在于，所述测试结构包括若干个鳍和若干个不互联的连接层，所述连接层连接于每个待测鳍的两端，所述不互联的连接层指的是，每个鳍的两端连接结构是分别连出的；所述鳍的个数取值范围：3－1000根，鳍的宽度1－50nm，鳍长度0.1－1000um，所述鳍之间的距离为：1－100nm之间；通过测试鳍的电阻表征其形变程度，以中间鳍的电阻值为参考，边缘鳍的电阻越大则该鳍的形变程度越大。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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