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龙图腾网恭喜淮安澳洋顺昌光电技术有限公司申请的专利双波长LED外延结构及其制备方法和双波长LED器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119384123B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411959523.9，技术领域涉及：H10H20/813；该发明授权双波长LED外延结构及其制备方法和双波长LED器件是由朱涛;宋长伟;叶大千;连伟杰;芦玲设计研发完成，并于2024-12-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本双波长LED外延结构及其制备方法和双波长LED器件在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体器件技术领域，具体涉及一种双波长LED外延结构及其制备方法和双波长LED器件。双波长LED外延结构，包括衬底层、N型半导体层、沟道缺陷起始层、沟道缺陷扩大层、多量子阱发光层和P型半导体层；N型半导体层位于衬底层的上表面；沟道缺陷起始层位于N型半导体层的上表面；沟道缺陷扩大层位于沟道缺陷起始层的上表面，用以放大沟道缺陷；至少一沟道缺陷为环形结构，多量子阱发光层包括位于环形结构外圈的第一发光区域，具有第一波长，以及位于环形结构内圈的第二发光区域，具有第二波长，第二波长大于第一波长。本发明的LED外延结构可实现双波长发光，波长发光比例不会随着电流发生变化明显改变，色温稳定。

本发明授权双波长LED外延结构及其制备方法和双波长LED器件在权利要求书中公布了：1.一种双波长LED外延结构，其特征在于，包括衬底层、N型半导体层、沟道缺陷起始层、沟道缺陷扩大层、多量子阱发光层和P型半导体层；所述N型半导体层位于所述衬底层的上表面；所述沟道缺陷起始层位于所述N型半导体层远离所述衬底层的上表面，所述沟道缺陷起始层包括GaN，所述沟道缺陷起始层中还掺杂有碳和硅；所述沟道缺陷扩大层位于所述沟道缺陷起始层远离所述衬底层的上表面，用以放大沟道缺陷，所述沟道缺陷扩大层包括交替的InGaN层和GaN层；至少一沟道缺陷为环形结构，所述多量子阱发光层包括位于所述环形结构外圈的第一发光区域，具有第一波长，以及位于环形结构内圈的第二发光区域，具有第二波长，第二波长大于第一波长。

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