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龙图腾网恭喜深圳市中科光芯半导体科技有限公司申请的专利一种垂直腔面发射激光器及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119340784B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411855497.5，技术领域涉及：H01S5/10；该发明授权一种垂直腔面发射激光器及制备方法是由郑君雄;杨旭;潘钺设计研发完成，并于2024-12-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种垂直腔面发射激光器及制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体激光器技术领域，具体地，涉及垂直腔面发射激光器、半导体激光器及制备方法。该垂直腔面发射激光器，包括衬底、N电极、N型DBR部、有源区层、P型DBR部和P电极，所述衬底、所述N型DBR部、所述有源区层、所述P型DBR部和所述P电极由下至上依次叠加设置，所述N电极设在所述衬底上；浮雕结构，所述浮雕结构设在所述激光器的光射出面上，所述浮雕结构对应氧化孔的位置设置。实施例，通过在垂直腔面发射激光器的光射出面上设置浮雕结构，这里的浮雕结构作为横向耦合腔，使得光子在横向耦合器腔内形成光子‑光子谐振（PPR）效应，即通过横向耦合腔提高VCSEL激光器的调制频率调制带宽。

本发明授权一种垂直腔面发射激光器及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种垂直腔面发射激光器，其特征在于，包括衬底、N电极、N型DBR部、有源区层、P型DBR部和P电极，所述衬底、所述N型DBR部、所述有源区层、所述P型DBR部和所述P电极由下至上依次叠加设置，所述N电极设在所述衬底上；浮雕结构，所述浮雕结构设在所述激光器的光射出面上，所述浮雕结构对应氧化孔的位置设置；其中，所述浮雕结构为环形的凹陷结构，所述凹陷结构横截面的内径不小于所述氧化孔横截面的外径，并且所述浮雕结构的横截面的宽度不大于1μm；通过所述浮雕结构相对氧化孔的位置配合，提高浮雕结构的横向耦合腔效应；所述垂直腔面发射激光器还包括介质层，所述介质层设在所述激光器的光射出光面上，并且分别覆盖出光孔和浮雕结构。

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